特許
J-GLOBAL ID：200903059288866112
窒化物系半導体素子および窒化物系半導体の形成方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
宮園 博一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-051348
公開番号（公開出願番号）：特開2002-252421
出願日： 2001年02月27日
公開日（公表日）： 2002年09月06日
要約：
【要約】【課題】量産性に優れ、かつ、良好な素子特性を有する窒化物系半導体素子を提供する。【解決手段】凹凸形状の表面を有するサファイア基板1と、サファイア基板1の凹凸形状の凸部上のみに接触するように形成されたマスク層2と、サファイア基板1の凹部上およびマスク層2上に形成されたアンドープGaN層4と、アンドープGaN層4上に形成され、素子領域を有する窒化物系半導体素子層を構成する各層5〜13とを備える。
請求項（抜粋）：
凹凸形状の表面を有する基板と、前記基板の凹凸形状の凸部上のみに接触するように形成されたマスク層と、前記基板の凹部上および前記マスク層上に形成された第1窒化物系半導体層と、前記第1窒化物系半導体層上に形成され、素子領域を有する窒化物系半導体素子層とを備えた、窒化物系半導体素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (22件)：
5F045AA04
, 5F045AB09
, 5F045AB14
, 5F045AB17
, 5F045AF02
, 5F045AF03
, 5F045AF04
, 5F045AF09
, 5F045AF12
, 5F045AF20
, 5F045CA10
, 5F045CA12
, 5F045DA53
, 5F045DA55
, 5F045DB02
, 5F073AA74
, 5F073CA07
, 5F073CB05
, 5F073CB07
, 5F073DA05
, 5F073DA25
, 5F073EA29
