特許
J-GLOBAL ID：200903095857577163
半導体成長用基板および半導体膜の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-374976
公開番号（公開出願番号）：特開2006-185962
出願日： 2004年12月24日
公開日（公表日）： 2006年07月13日
要約：
【課題】 半導体成長用基板とIII族窒化物半導体膜は製造条件または製造装置が異なる等の理由により、半導体成長用基板が大気中の酸素雰囲気に晒されるような場合においても、成長用基板表面の汚染、酸化、表面欠陥の発生を効果的に防止するための基板表面保護方法ならびに該基板表面上へIII族窒化物成長方法を提供する。【解決手段】 半導体基板表面に、基板より再蒸発温度が低いAlXInYGa1-X-YN(0≦X≦1、0≦Y≦1)からなる表面保護膜を形成し、半導体成長前に当該表面保護膜を取り除いて半導体を基板上に成長させる。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
基板表面に、基板より再蒸発温度が低いAlXInYGa1-X-YN(0≦X≦1、0≦Y≦1)からなる表面保護膜を有することを特徴とする半導体成長用基板。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (43件)：
4G077AA03
, 4G077BE47
, 4G077DA05
, 4G077DB04
, 4G077DB08
, 4G077ED06
, 4G077EE02
, 4G077EE06
, 4G077HA02
, 4G077SC01
, 4G077TB02
, 4G077TB05
, 4G077TC14
, 4G077TC16
, 4G077TC17
, 4G077TK08
, 4K030AA11
, 4K030AA13
, 4K030BA02
, 4K030BA08
, 4K030BA38
, 4K030BB01
, 4K030BB12
, 4K030CA05
, 4K030CA12
, 4K030DA03
, 4K030FA10
, 4K030JA01
, 4K030JA05
, 4K030JA09
, 4K030JA10
, 5F045AA01
, 5F045AA04
, 5F045AB09
, 5F045AB14
, 5F045AB17
, 5F045AB18
, 5F045AC12
, 5F045AD15
, 5F045AF09
, 5F045BB04
, 5F045BB12
, 5F045DA53
