特許
J-GLOBAL ID：200903095864347742

半導体装置搭載基板とその製造方法およびその基板検査法、並びに半導体パッケージ

発明者：
菊池 克

菊池 克 について

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下戸 直典

下戸 直典 について

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馬場 和宏

馬場 和宏 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 後藤 洋介 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-151864
公開番号（公開出願番号）：特開2003-347459
出願日： 2002年05月27日
公開日（公表日）： 2003年12月05日
要約：
【要約】【課題】 従来の配線基板を改良し、狭ピッチ化に対応した高密度化、微細化を実現することができ、しかも実装信頼性に優れた半導体装置搭載基板とその製造方法およびその基板検査法、並びに半導体パッケージを提供する。【解決手段】 絶縁層と配線層からなる配線構造膜と、前記配線構造膜の片面に設けられた第1電極パターンであって少なくとも前記第1電極パターン側面周囲が前記絶縁層に接しかつ少なくとも前記第1電極パターン下面が前記絶縁層に接しなく前記第1電極パターンが設けられている前記絶縁層面と前記第1電極パターン下面が同一平面上にある前記第1電極パターンと、前記第1電極パターンの反対側の面に第2電極パターンと、前記第1電極パターン内に収まる開口パターンを設けた絶縁体膜と、前記絶縁体膜表面に設けられた金属支持体とを有することを特徴とする半導体装置搭載基板。
請求項（抜粋）：
交互に積層された絶縁層と配線層からなる配線構造膜と、電極のパターンが前記配線構造膜の片面に設けられ、該電極パターン側面周囲が前記絶縁層に接し、かつ、少なくとも前記電極パターン下面が前記絶縁層に接することなく設けられ、前記絶縁層面と電極パターン下面が同一平面上にある第1電極パターンと、前記第1電極パターンの反対側の面に形成された第2電極パターンと、前記第1電極パターンの下部に位置する開口パターンを設けた絶縁体膜と、前記絶縁体膜下表面に設けられた金属支持体とを有することを特徴とする半導体装置搭載基板。
IPC (2件)：
H01L 23/12 ,  H01L 23/14
FI (2件)：
H01L 23/12 N ,  H01L 23/14 R
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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