特許
J-GLOBAL ID：200903021753116608

誘電体セラミック及び誘電体セラミックの製造方法、並びに積層セラミックコンデンサ

発明者：
廣田 益久

廣田 益久 について

, 
堀 憲治

堀 憲治 について


出願人/特許権者：
株式会社村田製作所

株式会社村田製作所 について


代理人 (1件)： 國弘 安俊
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-050495
公開番号（公開出願番号）：特開2006-232629
出願日： 2005年02月25日
公開日（公表日）： 2006年09月07日
要約：
【課題】10kV/mmを遥かに超える高電界強度下であっても、加速寿命が良好で高信頼性を有するようにする。 【解決手段】誘電体セラミックが、組成式BamTiO2+mで表されるチタン酸バリウム系固溶体を含有した主相粒子と、組成式MgnVOtで表される結晶性複合酸化物からなる二次相粒子とを含んでいる。好ましくは、上記m、n、及びtが、1.001≦m≦1.030、0.3≦n≦5.0、1.5+n≦t≦2.5+nであり、BamTiO2+m100モルに対するMgnVOtの配合モル量αが、0.05≦α≦2.0である。これにより誘電特性や静電容量の温度特性、絶縁性も良好なものとすることができる。さらに、必要に応じて特定の希土類元素や金属元素、更にはSiを含む焼結助剤を含んでいてもよい。 【選択図】選択図なし
請求項（抜粋）：
チタン酸バリウム系化合物を含有した主相粒子と、Mg及びVを含有した結晶性複合酸化物からなる二次相粒子とを含んでいることを特徴とする誘電体セラミック。
IPC (5件)：
C04B 35/46 ,  H01B 3/00 ,  H01B 3/12 ,  H01G 4/12 ,  H01G 4/30
FI (6件)：
C04B35/46 D ,  H01B3/00 H ,  H01B3/12 303 ,  H01G4/12 349 ,  H01G4/12 364 ,  H01G4/30 301E
Fターム (60件)：
4G031AA03 ,  4G031AA04 ,  4G031AA05 ,  4G031AA06 ,  4G031AA07 ,  4G031AA08 ,  4G031AA11 ,  4G031AA13 ,  4G031AA17 ,  4G031AA18 ,  4G031AA19 ,  4G031AA21 ,  4G031AA22 ,  4G031AA23 ,  4G031AA25 ,  4G031AA26 ,  4G031AA30 ,  4G031BA09 ,  4G031CA08 ,  4G031GA04 ,  4G031GA10 ,  4G031GA11 ,  5E001AB03 ,  5E001AB06 ,  5E001AE02 ,  5E001AE03 ,  5E001AE04 ,  5E082AB03 ,  5E082BC39 ,  5E082EE04 ,  5E082EE11 ,  5E082EE23 ,  5E082EE35 ,  5E082FF05 ,  5E082FG06 ,  5E082FG26 ,  5E082PP03 ,  5G303AA01 ,  5G303AB01 ,  5G303AB14 ,  5G303BA12 ,  5G303CA01 ,  5G303CB03 ,  5G303CB06 ,  5G303CB09 ,  5G303CB11 ,  5G303CB13 ,  5G303CB17 ,  5G303CB18 ,  5G303CB23 ,  5G303CB32 ,  5G303CB35 ,  5G303CB36 ,  5G303CB37 ,  5G303CB38 ,  5G303CB40 ,  5G303CB41 ,  5G303CB43 ,  5G303DA05 ,  5G303DA06
引用特許：
出願人引用 (11件)
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審査官引用 (10件)
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