特許
J-GLOBAL ID:200903095936128129
特性抽出装置、特性評価装置、および、半導体装置
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
吉田 茂明 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-204562
公開番号(公開出願番号):特開2001-035930
出願日: 1999年07月19日
公開日(公表日): 2001年02月09日
要約:
【要約】【課題】 移動度と速度飽和効果に関するパラメータを、他のETデータとの整合性を持って抽出する。【解決手段】 チャネル長のみが異なる2個以上のトランジスタについて、2個のドレイン・ソース間電圧Vdsの下で、線型領域でのIds-Vgs特性が測定される(S21)。その結果、2個のVdsに対して、Rtot=Vds/Ids対チャネル長のグラフが得られ、それにより、それぞれのVdsに対する実効チャネル長Leffが抽出される(S22)。2個のVdsに対応する二つの実効チャネル長Le1とLe2との関係をグラフに表し、Le1=0のときのLe2の値から、2個のVdsの差ΔVdsを割ることにより、速度飽和係数U1が得られる(S23)。
請求項(抜粋):
MOSトランジスタの速度飽和効果を表現するパラメータを抽出する特性抽出装置であって、(a) 前記MOSトランジスタの特性の測定データを表現する信号を受信し、当該信号にもとづいて、2個以上のドレイン・ソース間電圧に対する前記MOSトランジスタの実効チャネル長を抽出する実効チャネル長抽出部と、(b) 抽出された前記実効チャネル長にもとづいて、前記パラメータを算出し、その値を表現する信号を出力するパラメータ算出部と、を備える特性抽出装置。
IPC (7件):
H01L 21/8234
, H01L 27/088
, G01R 31/26
, G01R 31/28
, H01L 29/00
, H01L 29/78
, H01L 21/336
FI (9件):
H01L 27/08 102 Z
, G01R 31/26 B
, G01R 31/26 Z
, G01R 31/26 G
, H01L 29/00
, G01R 31/28 H
, G01R 31/28 V
, H01L 27/08 102 B
, H01L 29/78 301 Z
Fターム (24件):
2G003AA02
, 2G003AB01
, 2G003AB04
, 2G003AB08
, 2G003AC00
, 2G003AE01
, 2G003AH01
, 2G032AA00
, 2G032AB04
, 2G032AC09
, 2G032AD01
, 2G032AD02
, 2G032AE06
, 2G032AE07
, 2G032AE08
, 2G032AE10
, 2G032AE12
, 2G032AK11
, 5F040DA30
, 5F040EA00
, 5F040EA09
, 5F048AB10
, 5F048AC01
, 5F048BB05
引用特許:
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