特許
J-GLOBAL ID：200903095953966162
半導体集積回路装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
徳若 光政
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-064192
公開番号（公開出願番号）：特開平11-328962
出願日： 1999年03月11日
公開日（公表日）： 1999年11月30日
要約：
【要約】【課題】 低消費電力化と素子の高信頼性を図りつつ、動作の高速化及び降圧電圧により内部回路が動作させられ、クロック信号に同期して出力信号を送出させる半導体集積回路装置を提供する。簡単な構成による論理付レベルシフト回路を備えた半導体集積回路装置を提供する。【解決手段】 外部端子から供給される電源電圧を受け、それを降圧した電圧で動作させられる内部回路と、上記内部回路で形成された出力すべき信号をタイミング信号に従って外部端子を通して出力させる出力回路とを備えた半導体集積回路装置において、上記内部回路で形成された出力すべき信号をレベルシフト回路により上記外部端子から供給された電圧レベルに対応した信号レベルに変換し、上記出力回路により上記外部端子から供給された電源電圧に対応した電圧レベルのタイミング信号を用いて上記レベル変換された信号を出力させる。
請求項（抜粋）：
外部端子から供給される電源電圧を降圧する降圧回路と、外部端子から供給される入力信号を受ける入力回路と、上記降圧回路で形成された内部電圧で動作する内部回路と、タイミング信号に従って外部端子を通して信号を出力させる出力回路と、上記内部回路で形成された出力すべき信号を上記外部端子から供給された電源電圧レベルに対応した信号レベルに変換するレベルシフト回路とを備え、上記タイミング信号は、上記外部端子から供給された電源電圧レベルに対応した信号レベルであり、上記出力回路は、上記レベルシフト回路で変換された信号を出力させるものであることを特徴とする半導体集積回路装置。
IPC (3件)：
G11C 11/407
, G11C 11/409
, H03K 19/0185
G11C 11/34 354 F
, G11C 11/34 354 Q
, G11C 11/34 354 D
, G11C 11/34 362 S
, H03K 19/00 101 E
審査官引用 (2件)
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超LSIメモリ, 19941105, 初版, p269-270
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超LSIメモリ, 19941105, 初版, p269-270
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