レジスト組成物、レジストパターンの形成方法、半導体装置及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：廣田浩一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-086349
公開番号（公開出願番号）：特開2007-264118
出願日： 2006年03月27日
公開日（公表日）： 2007年10月11日
要約：

【課題】使用可能な材料の選択性の幅を広くすることができ、帯電防止効果に優れ高感度であり、パターン欠落や位置ずれ等がなく、高解像度で微細なレジストパターンを低コストで簡便に効率よく形成可能なレジスト組成物等の提供。【解決手段】本発明のレジスト組成物は、導電性を有する基材樹脂、光酸発生剤、架橋剤、及び有機溶剤を少なくとも含む。本発明のレジストパターンの形成方法は、被加工表面上に本発明のレジスト組成物用いてレジスト膜を形成するレジスト膜形成工程と、該レジスト膜に対し露光光を選択的に照射する露光工程と、パターンを現像する現像工程とを含む。本発明の半導体装置の製造方法は、被加工表面上に本発明のレジスト組成物を用いてレジスト膜を形成した後、露光し、現像することによりレジストパターンを形成するレジストパターン形成工程と、該レジストパターンをマスクとしてエッチングにより前記被加工表面をパターニングするパターニング工程とを含む。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

導電性を有する基材樹脂、光酸発生剤、架橋剤、及び有機溶剤を少なくとも含むことを特徴とするレジスト組成物。

IPC (4件)：

G03F 7/038 , H01L 21/027 , G03F 7/032 , G03F 7/40

FI (4件)：

G03F7/038 601 , H01L21/30 502R , G03F7/032 , G03F7/40 521

Fターム (25件)：

2H025AA01 , 2H025AA02 , 2H025AB16 , 2H025AC05 , 2H025AC06 , 2H025AD01 , 2H025BE00 , 2H025CB51 , 2H025CC03 , 2H025CC17 , 2H025CC20 , 2H025FA12 , 2H025FA17 , 2H025FA41 , 2H096AA25 , 2H096BA06 , 2H096BA20 , 2H096CA05 , 2H096EA05 , 2H096EA06 , 2H096FA01 , 2H096GA08 , 2H096HA23 , 2H096JA03 , 2H096JA04

引用特許：

出願人引用 (4件)

米国特許第4,491,628号公報
特開平4-32848号公報
電離放射線照射用組成物及び電離放射線照射方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-246511 出願人：富士通株式会社, 日東化学工業株式会社

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審査官引用 (7件)

特開平4-029148
多層体、レジストパターン形成方法、微細加工パターンを有する装置の製造方法および電子装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-337249 出願人：富士通株式会社
特開平4-179956

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