特許

J-GLOBAL ID：200903016400733545

レジストパターン形成用組成物とレジストパターン形成方法

発明者： 清水 茂 ,  湯浅 雅美 ,  鵜沢 正志 ,  矢野 恵子 ,  丸山 隆司 ,  矢野 映 ,  渡部 慶二
出願人/特許権者： 日東化学工業株式会社 ,  富士通株式会社
代理人 (1件)： 友松 英爾 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-240754
公開番号（公開出願番号）：特開平9-062008
出願日： 1995年08月25日
公開日（公表日）： 1997年03月07日
要約：

【要約】【課題】 パターン形成プロセスにおける種々のパターン寸法精度の劣化を防止するための組成物およびそれを用いたパターン形成方法の提供。【解決手段】 分子内に少なくとも一対の酸性基と塩基性基を有し、且つこれらが分子内で安定な塩を形成することが可能な化合物(a)及び/又は分子内に少なくとも一対の酸性基と塩基性基を有し、且つこれらが分子内で安定な塩を形成することが可能な重合体(b)を含有することを特徴とするレジストパターン形成用組成物。

請求項（抜粋）：

分子内に少なくとも一対の酸性基と塩基性基を有し、且つこれらが分子内で安定な塩を形成することが可能な化合物(a)又は分子内に少なくとも一対の酸性基と塩基性基を有し、且つこれらが分子内で安定な塩を形成することが可能な重合体(b)又は、前記化合物(a)及び前記重合体(b)を含有することを特徴とするレジストパターン形成用組成物。

IPC (6件)：

G03F 7/039 501 ,  G03F 7/004 503 ,  G03F 7/038 505 ,  G03F 7/20 504 ,  G03F 7/20 521 ,  H01L 21/027

FI (7件)：

G03F 7/039 501 ,  G03F 7/004 503 ,  G03F 7/038 505 ,  G03F 7/20 504 ,  G03F 7/20 521 ,  H01L 21/30 502 R ,  H01L 21/30 569 F

引用特許：

審査官引用 (9件)

• 特開平2-113251
  
• レジスト組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-312669   出願人：日本ゼオン株式会社
• 感放射線性樹脂組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-116722   出願人：日本合成ゴム株式会社
• E-ビームレジスト用の塩基現像可能な放電トップ層
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-259348   出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
• 導電剤形成用組成物およびパターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-324237   出願人：富士通株式会社, 日東化学工業株式会社
• パターン形成用導電性組成物及び該組成物を用いたパターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-157953   出願人：富士通株式会社, 日東化学工業株式会社
• パターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-316822   出願人：富士通株式会社
• 電離放射線照射用組成物及び電離放射線照射方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-246511   出願人：富士通株式会社, 日東化学工業株式会社
• 特開平2-113251