特許
J-GLOBAL ID：200903016204952409
多層体、レジストパターン形成方法、微細加工パターンを有する装置の製造方法および電子装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
土井 健二
, 林 恒徳
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-337249
公開番号（公開出願番号）：特開2006-023699
出願日： 2004年11月22日
公開日（公表日）： 2006年01月26日
要約：
【課題】 レジスト保護膜の影響によるパターニング不良を解消し、安定した微細レジストパターンを形成するための技術を提供する。【解決手段】 基板上にレジストよりなる層(レジスト層)を形成し、レジスト層上に制電性樹脂と光酸発生剤とを含んでなるレジスト保護膜を形成し、レジスト保護膜に対し選択的に活性エネルギー線を照射し、レジストを現像し、レジストパターンを形成する。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
制電性樹脂と光酸発生剤とを含んでなるレジスト保護用組成物。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G03F7/11 501
, H01L21/30 575
2H025AB08
, 2H025AB16
, 2H025AB17
, 2H025AC06
, 2H025AD01
, 2H025AD03
, 2H025BE00
, 2H025BE10
, 2H025BG00
, 2H025CC20
, 2H025DA02
, 2H025DA03
, 2H025FA03
, 2H025FA12
, 2H025FA17
, 5F046AA28
, 5F046PA19
出願人引用 (3件)
-
米国特許第4,491,628号明細書(クレーム)
-
特開平4-32848号公報(特許請求の範囲)
-
電離放射線照射用組成物及び電離放射線照射方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願平6-246511
出願人：富士通株式会社, 日東化学工業株式会社
審査官引用 (9件)
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