特許
J-GLOBAL ID：200903096015487197
低誘電率フッ素化アモルファス炭素誘電体およびその形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-338211
公開番号（公開出願番号）：特開平11-251308
出願日： 1998年11月27日
公開日（公表日）： 1999年09月17日
要約：
【要約】【課題】 低い誘電率を有し、且つ熱安定性に優れたa-F:C膜を形成する方法を提供する。【解決手段】 本発明は、低いkの配線誘電体材料を提供するようにICウェハ上にフッ素化アモルファス炭素(a-F:C)膜を堆積させるプロセスを提供する。PECVDチャンバーで実行される該プロセスは、a-F:C膜を堆積するのに使用されるC4F8およびCH4の混合ガスにシランガス(SiH4)を導入する。シランは堆積膜のフッ素エッチャントを減少させるのを助け、堆積産物の架橋の改善を助ける。本発明に従って生産された膜は、ほぼ2.4を下回る低いkおよびほぼ440°Cを上回る高い熱安定性を有し、より高い温度での熱アニールを可能にする。
請求項（抜粋）：
集積回路の配線構造体で使用する誘電体材料を基板上に堆積するプラズマ化学気相成長法(PECVD)プロセスであって、a)該基板をPECVDチャンバー内に配置し、該基板を200°Cを上回る温度に加熱する工程と、b)フッ素含有ガス(FCG)および炭素含有ガス(CCG)の流れを、フッ素および炭素ガスプラズマを形成するのに充分なエネルギーが印加された該チャンバー内へ導入する工程であって、FCGとCCGの比率は該基板上にフッ素化アモルファス炭素が堆積されるように選択される工程と、c)該チャンバー内に工程b)の該FCGおよびCCGと共にシラン(SiH4)の流れを導入する工程であって、これにより、該シランが該基板上に堆積された該フッ素化アモルファス炭素の熱安定性を増大させる工程と、を含むプロセス。
IPC (3件)：
H01L 21/314
, H01L 21/31
, H01L 21/768
H01L 21/314 A
, H01L 21/31 C
, H01L 21/90 K
