特許
J-GLOBAL ID：200903096119279928

SnO2薄膜の製造方法およびIn2O3-SnO2薄膜の製造方法

発明者：
土岐 元幸

土岐 元幸 について

, 
朝隈 直子

朝隈 直子 について


出願人/特許権者：
株式会社関西新技術研究所

株式会社関西新技術研究所 について


代理人 (1件)： 間宮 武雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-143506
公開番号（公開出願番号）：特開平10-316427
出願日： 1997年05月15日
公開日（公表日）： 1998年12月02日
要約：
【要約】【課題】 プラスチックスなどの耐熱性の低い基体上にも、導電性を有するSnO2薄膜やSnO2を20重量%以上含むIn2O3-SnO2薄膜を形成できる方法を提供する。【解決手段】 錫アルコキシドを含む溶液またはインジウムアルコキシドおよび錫アルコキシドを含む溶液を加水分解させて得られるゾルを基体の表面に塗布し、基体表面にゲル膜を形成した後、そのゲル膜に対して波長360nm以下の紫外光を照射し、薄膜を形成しているゲルを結晶化させて導電性を付与する。
請求項（抜粋）：
錫アルコキシドを含む溶液を加水分解させて得られるゾルを基体の表面に塗布して、基体表面にゲル膜を形成した後、そのゲル膜に対して波長が360nm以下である紫外光を照射し、薄膜を形成しているゲルを結晶化させて、導電性を有するSnO2薄膜を基体表面に形成することを特徴とするSnO2薄膜の製造方法。
IPC (4件)：
C01G 19/02 ,  C01G 19/00 ,  C23C 18/12 ,  H01B 13/00 503
FI (4件)：
C01G 19/02 C ,  C01G 19/00 A ,  C23C 18/12 ,  H01B 13/00 503 C
引用特許：
審査官引用 (6件)
  • 液晶表示装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-232305   出願人：株式会社日立製作所
  • 金属部材
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-232309   出願人：株式会社日立製作所
  • 特開平3-188938
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