特許
J-GLOBAL ID：200903096232907803

窒化物半導体結晶の製造方法

発明者：
久保 秀一

久保 秀一 について

, 
藤戸 健史

藤戸 健史 について


出願人/特許権者：
三菱化学株式会社

三菱化学株式会社 について


代理人 (1件)： 特許業務法人特許事務所サイクス
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-033347
公開番号（公開出願番号）：特開2009-046377
出願日： 2008年02月14日
公開日（公表日）： 2009年03月05日
要約：
【課題】多結晶の成長を抑えて、目的とする窒化物半導体を効率よく成長させることができるとともに、成長させた窒化物半導体結晶に割れを生じさせることなく容易に取り出すことができるような窒化物半導体結晶の製造方法を提供する。【解決手段】主面とその裏面を備える種結晶110を支持体107の上に裏面が接するように設置し、主面に原料ガスG3,G4を供給することにより窒化物半導体結晶を成長させる工程を含む窒化物半導体結晶の製造方法であって、種結晶110の裏面外縁の少なくとも一部が原料ガスG3,G4に触れる状態で露出している。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
主面とその裏面を備える種結晶を支持体の上に裏面が接するように設置し、主面に原料ガスを供給することにより窒化物半導体結晶を成長させる工程を含む窒化物半導体結晶の製造方法であって、 前記種結晶の裏面外縁の少なくとも一部が原料ガスに触れる状態で露出していることを特徴とする窒化物半導体結晶の製造方法。
IPC (3件)：
C30B 29/38 ,  C30B 25/20 ,  H01L 21/205
FI (3件)：
C30B29/38 D ,  C30B25/20 ,  H01L21/205
Fターム (30件)：
4G077AA02 ,  4G077AB02 ,  4G077BE15 ,  4G077DB04 ,  4G077ED01 ,  4G077ED02 ,  4G077ED04 ,  4G077ED05 ,  4G077ED06 ,  4G077EG03 ,  4G077EG11 ,  4G077HA02 ,  4G077HA06 ,  4G077HA12 ,  4G077TA01 ,  4G077TA04 ,  4G077TA12 ,  4G077TB02 ,  4G077TF02 ,  4G077TK01 ,  4G077TK04 ,  4G077TK06 ,  5F045AB14 ,  5F045AF02 ,  5F045AF04 ,  5F045AF09 ,  5F045DP03 ,  5F045DP28 ,  5F045EM06 ,  5F045EM09
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (5件)
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