特許
J-GLOBAL ID:200903096282325635
基板を処理するための処理装置及び方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
安齋 嘉章
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2008-109175
公開番号(公開出願番号):特開2008-270218
出願日: 2008年04月18日
公開日(公表日): 2008年11月06日
要約:
【課題】基板上に層系、好ましくは少なくとも1層の有機発光半導体材料(OLED)を含む層系を形成するための処理装置を提供する。【解決手段】処理装置1は、基板をその内部で処理するための1つ以上の処理ステーションA、2から成る集合体と、基板上に堆積された層系上に封止要素を施すための第1封止ツール6aを備える第1封止モジュール5aを備える。更に、処理装置1は第2の封止ツール6bを備えた少なくとも第2の封止モジュール5bを備え、2つの封止モジュール5a、5bを設けることで、処理装置1を連続的に稼動させている間に、そのうちの1つ、例えば第2モジュール5bを洗浄し、その間に第1封止モジュール5aによりコーティング済み基板上に封止を形成する。OLEDコーティングとOLEDコーティング上への封止要素の堆積をコーティング装置により連続的に行う。【選択図】図1
請求項(抜粋):
基板上に層系、好ましくは少なくとも1層の有機発光半導体材料(OLED)を含む層系を形成するための処理装置(1)であり、
前記基板をその内部で処理するための1つ以上の処理ステーション(A、2)の集合体と、
前記基板上に堆積された前記層系上に封止を施すための第1封止ツール(6a)を備える第1封止モジュール(5a)を備え、
処理装置(1)が前記基板上に堆積された前記層系に封止を施すための少なくとも第2の封止ツール(6b)を備えた少なくとも第2の封止モジュール(5b)を更に備え、
前記処理装置(1)が前記第1封止モジュール(5a)又は前記第2封止モジュール(5b)のいずれかにおいて前記基板上に堆積された前記層系上に前記封止を施すように構成されていることを特徴とする処理装置。
IPC (3件):
H05B 33/10
, H01L 51/50
, H05B 33/04
FI (3件):
H05B33/10
, H05B33/14 A
, H05B33/04
Fターム (8件):
3K107AA01
, 3K107BB01
, 3K107CC23
, 3K107CC45
, 3K107GG02
, 3K107GG22
, 3K107GG37
, 3K107GG42
引用特許:
審査官引用 (5件)
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製造装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2003-140481
出願人:株式会社半導体エネルギー研究所
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蒸着装置および有機電界発光素子の製造装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2002-315765
出願人:ソニー株式会社
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成膜装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2003-031376
出願人:ソニー株式会社
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