特許
J-GLOBAL ID：200903096313047035

アクティブマトリクス基板の製造方法および液晶表示装置

発明者：
北和田 清文

北和田 清文 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (1件)： 鈴木 喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-084659
公開番号（公開出願番号）：特開平11-282011
出願日： 1998年03月30日
公開日（公表日）： 1999年10月15日
要約：
【要約】【課題】 画素電極とドレイン領域とをドレイン電極を中継して電気的に接続する場合でも、工程数を増やすことなく短絡用配線を露出させることができ、かつ、凹凸の平坦化も可能なアクティブマトリクス基板の製造方法、この製造方法で製造したアクティブマトリクス基板、および液晶表示装置を提供すること。【解決手段】 アクティブマトリクス基板の製造方法において、第1の層間絶縁膜4に対して短絡用配線3bの切断予定部分を露出させる切断用孔4bを第1および第2のコンクタクトホール4a、4dと同時に形成する。ポリシラザンを含む組成物の塗布膜を焼成した絶縁膜71を用いて第2の層間絶縁膜7を形成した後は、この第2の層間絶縁膜7に対して切断用孔8bを第3のコンクタクトホール8aと同時に形成して短絡用配線3bの切断予定部分を露出させる。
請求項（抜粋）：
走査線およびデータ線に接続する画素スイッチング用の薄膜トランジスタと、該薄膜トランジスタに接続してなる画素電極と、前記走査線および前記データ線に信号出力する走査線駆動回路およびデータ線駆動回路と、該駆動回路に信号供給する複数の信号配線とを有し、前記薄膜トランジスタは、ゲート電極と、第1の層間絶縁膜の第1のコンタクトホールを介して前記データ線に電気的に接続するソース領域と、前記第1の層間絶縁膜の第2のコンタクトホールを介してドレイン電極に電気的に接続するドレイン領域とを備え、前記ドレイン電極には、前記第1の層間絶縁膜の上層側に形成された第2の層間絶縁膜の第3のコンタクトホールを介して前記画素電極が電気的に接続するアクティブマトリクス基板の製造方法において、前記走査線、前記データ線の少なくともいずれかの配線同士を電気的に接続する短絡用配線を形成する工程と、前記第1の層間絶縁膜に前記短絡用配線の切断予定部分を露出させる第1の切断用孔を形成する工程と、ペルヒドロポリシラザンまたはこれを含む組成物の塗布膜を焼成した絶縁膜を用いて前記第2の層間絶縁膜を形成する工程と、前記第2の層間絶縁膜に前記第1の切断用孔と重なる位置に第2の切断用孔を形成して前記短絡用配線の切断予定部分を露出させる工程と、前記第2の切断用孔を介して前記短絡用配線を前記切断予定部分で切断する工程とを有することを特徴とするアクティブマトリクス基板の製造方法。
IPC (4件)：
G02F 1/136 500 ,  G02F 1/1345 ,  G09F 9/30 338 ,  H01L 29/786
FI (5件)：
G02F 1/136 500 ,  G02F 1/1345 ,  G09F 9/30 338 ,  H01L 29/78 612 C ,  H01L 29/78 623 A
引用特許：
審査官引用 (4件)
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