特許
J-GLOBAL ID：200903019181145585

アクティブマトリックス型液晶表示装置及びその製造方法

発明者：
井上 聡

井上 聡 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (1件)： 鈴木 喜三郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-127550
公開番号（公開出願番号）：特開平9-311348
出願日： 1996年05月22日
公開日（公表日）： 1997年12月02日
要約：
【要約】【課題】 薄膜トランジスタ基板にブラックマトリックスを形成しながらも、工程数を少なくし製造歩留まりを高くすること。【解決手段】 画素電極とブラックマトリックスの間に保護膜層を形成することで、ブラックマトリックスの比抵抗が低い場合でも、画質に影響を与えることがない。また遮光材に使用されている顔料等からのNa汚染等も防止できる。この時、ブラックマトリックスのパターンをマスクに、下部の保護膜層をエッチングすることで、ブラックマトリックスの形成と、画素電極上部の保護膜除去に必要なマスクを1枚で済ませることができる。これにより、工程数の増大を最低限にとどめることが可能になる。更に、保護膜層のエッチングを異方性エッチングにより行うことで、ブラックマトリックスの加工形状に起因するラビング不良も防止できる。
請求項（抜粋）：
薄膜トランジスタを有する薄膜トランジスタ基板と、対向電極を有する対向基板と、前記薄膜トランジスタ基板及び前記対向基板に狭持される液晶素子とを含むアクティブマトリックス型液晶表示装置において、前記薄膜トランジスタ基板に形成された画素電極上層に、保護膜層が形成され、更にこの上層にブラックマトリックスが設けられていることを特徴とするアクティブマトリックス型液晶表示装置。
IPC (4件)：
G02F 1/136 500 ,  G02B 5/00 ,  G02F 1/1335 ,  H01L 29/786
FI (6件)：
G02F 1/136 500 ,  G02B 5/00 B ,  G02F 1/1335 ,  H01L 29/78 612 B ,  H01L 29/78 619 B ,  H01L 29/78 623 A
引用特許：
審査官引用 (15件)
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