太陽電池用シリコン系薄膜評価方法および太陽電池製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：藤田考晴 , 上田邦生
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-037408
公開番号（公開出願番号）：特開2005-228993
出願日： 2004年02月13日
公開日（公表日）： 2005年08月25日
要約：

【課題】赤外光を透過しない基板上に製膜されたシリコン系薄膜の膜質を分析する太陽電池用シリコン系薄膜評価方法を提供する。【解決手段】本発明の太陽電池用シリコン系薄膜評価方法は、赤外光を透過しないソーダガラス等の透明ガラス基板5上に製膜された太陽電池に用いられるアモルファスシリコン薄膜3に対して赤外光10を照射して、アモルファスシリコン系薄膜3で反射された反射波の吸収スペクトル17を分析することによってアモルファスシリコン薄膜3の光劣化率を推定することを特徴とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

赤外光に対する透過率が小さい基板上に製膜された太陽電池用シリコン系薄膜に対して赤外光を照射して、前記シリコン系薄膜で反射された反射波のスペクトルを分析することによって前記シリコン系薄膜の膜質を評価することを特徴とする太陽電池用シリコン系薄膜評価方法。

IPC (3件)：

H01L31/04 , G01N21/27 , G01N21/35

FI (3件)：

H01L31/04 K , G01N21/27 C , G01N21/35 Z

Fターム (12件)：

2G059AA01 , 2G059AA05 , 2G059BB16 , 2G059EE02 , 2G059EE12 , 2G059HH01 , 2G059JJ06 , 2G059KK01 , 5F051AA05 , 5F051BA17 , 5F051CA15 , 5F051KA10

引用特許：

出願人引用 (1件)

膜特性評価方法・装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-066421 出願人：株式会社東芝

審査官引用 (1件)

減衰全反射による解析方法及びその装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-250044 出願人：ソニー株式会社

引用文献：

審査官引用 (2件)

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