特許
J-GLOBAL ID：200903096392528434

反応性スパッタリング装置

発明者：
高橋 信行

高橋 信行 について

, 
小西 暁夫

小西 暁夫 について


出願人/特許権者：
アネルバ株式会社

アネルバ株式会社 について


代理人 (1件)： 鈴木 利之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-286233
公開番号（公開出願番号）：特開2001-107228
出願日： 1999年10月07日
公開日（公表日）： 2001年04月17日
要約：
【要約】【課題】 複数のカソードのそれぞれの周囲にガス噴出管を配置して、プロセスガスを基板中央付近まで均一に行き渡るようにして、膜厚分布を改善する。【解決手段】 3個のマグネトロンカソードのうち、両側のカソード54a、54cは内側に傾斜している。真空容器32を「1×10のマイナス4乗」Paまで排気してから、カソード54a、54b、54cに付属するそれぞれのガス噴出管82からプロセスガス(アルゴンと酸素の混合ガス)88を導入する。合計でアルゴンガスの流量を120SCCM、酸素ガスの流量を90SCCMとして、真空容器内の圧力を0.7Paに設定する。それぞれの直流電源72からカソード54a、54b、54cに1kWの直流電力を供給して、クロム製のターゲット78をスパッタリングし、基板10上に酸化クロム薄膜を形成する。200nmの膜厚を得たときに膜厚分布は±4%となった。
請求項（抜粋）：
排気可能な真空容器と、この真空容器の内部で基板を保持する基板ホルダーと、前記基板に対向する位置に配置されたカソードと、前記真空容器の内部にプロセスガスを導入するガス導入機構とを備えた反応性スパッタリング装置において、前記カソードは複数個あり、前記ガス導入機構は前記複数のカソードのそれぞれの周囲に配置されたガス噴出管を備えていることを特徴とする反応性スパッタリング装置。
IPC (3件)：
C23C 14/34 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/203
FI (4件)：
C23C 14/34 C ,  C23C 14/34 B ,  H01L 21/31 D ,  H01L 21/203 S
Fターム (30件)：
4K029AA24 ,  4K029CA06 ,  4K029DC16 ,  4K029DC22 ,  4K029DC28 ,  4K029DC39 ,  4K029EA01 ,  5F045AA19 ,  5F045AB31 ,  5F045AC11 ,  5F045AC16 ,  5F045AE15 ,  5F045AF07 ,  5F045BB02 ,  5F045CA15 ,  5F045CB02 ,  5F045DP03 ,  5F045EF04 ,  5F045EH07 ,  5F045EH09 ,  5F045EH16 ,  5F103AA08 ,  5F103BB06 ,  5F103BB22 ,  5F103DD27 ,  5F103HH04 ,  5F103LL13 ,  5F103NN06 ,  5F103RR03 ,  5F103RR10
引用特許：
審査官引用 (5件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM