特許
J-GLOBAL ID：200903096409952910

半導体発光素子及びその製造方法、並びにZnO膜の形成方法

発明者：
門田 道雄

門田 道雄 について


出願人/特許権者：
株式会社村田製作所

株式会社村田製作所 について


代理人 (1件)： 中野 雅房
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-205125
公開番号（公開出願番号）：特開2000-036617
出願日： 1998年07月21日
公開日（公表日）： 2000年02月02日
要約：
【要約】【課題】 InxGayAlzN系の半導体発光素子において、ZnOバッファ層とGaN層とのa軸方向の格子定数の差をより小さくすることにより、格子欠陥の少ないGaN層を得る。【解決手段】 導電性Si基板2の上に比抵抗の小さなZnOバッファ層3を成長させ、ZnOバッファ層3の上に順次n型GaN層4、n型AlGaN層5、InGaN層(発光層)6、p型AlGaN層7、p型GaN層8を成長させることにより、ダブルへテロ接合構造の半導体発光素子1を形成する。上記ZnOバッファ層のc定数は、スパッタ装置のパラメータを調整することにより、5.2070Å以上、好ましくは5.21Å〜5.28Åとしている。
請求項（抜粋）：
InxGayAlzN(ただし、x+y+z=1、0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1)で表わされる化合物半導体を用いた半導体発光素子において、基板上にc軸方向の格子定数が5.2070Å以上のZnOバッファ層を形成し、ZnOバッファ層の上にGaN層を形成したことを特徴とする半導体発光素子。
IPC (2件)：
H01L 33/00 ,  H01S 5/30
FI (2件)：
H01L 33/00 C ,  H01S 3/18
Fターム (8件)：
5F041CA23 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F073CA02 ,  5F073CA17 ,  5F073CB07 ,  5F073DA35
引用特許：
審査官引用 (4件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM