特許
J-GLOBAL ID：200903096411488856

半導体装置の製造方法

発明者：
伊藤 次郎

伊藤 次郎 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (1件)： 児玉 俊英
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-003119
公開番号（公開出願番号）：特開2001-196289
出願日： 2000年01月12日
公開日（公表日）： 2001年07月19日
要約：
【要約】【課題】 レジストパターンを形成する際に使用する現像液が下地に侵入するのを、他に不具合を生じることなく防止することができる半導体装置の製造方法を得ることを目的とする。【解決手段】 下地の上面にレジストのパターニングを行う半導体装置の製造方法において、反射防止膜502および合金膜501上に有機系薄膜509をCVD505にて形成し、有機系薄膜509上に感光性のレジスト512を形成し、レジスト512に所望のパターンにてなるマスク506を介して光504を照射し、水溶性の現像液515にレジスト512を浸漬させレジストパターン507を形成するものである。
請求項（抜粋）：
下地の上面にレジストのパターニングを行う半導体装置の製造方法において、下地上に有機系薄膜を化学気相反応法または物理蒸着法にて形成する工程と、上記有機系薄膜上に感光性のレジストを形成する工程と、上記レジストに所望のパターンにてなるマスクを介して光を照射する工程と、水溶性の現像液に上記レジストを浸漬させレジストパターンを形成する工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (9件)：
H01L 21/027 ,  G03F 7/11 503 ,  G03F 7/30 ,  G03F 7/40 521 ,  G03F 7/42 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/312 ,  H01L 21/3213
FI (10件)：
G03F 7/11 503 ,  G03F 7/30 ,  G03F 7/40 521 ,  G03F 7/42 ,  H01L 21/28 F ,  H01L 21/312 D ,  H01L 21/312 M ,  H01L 21/30 563 ,  H01L 21/302 H ,  H01L 21/88 C
Fターム (69件)：
2H025AB16 ,  2H025AC01 ,  2H025AC04 ,  2H025AD01 ,  2H025AD03 ,  2H025DA18 ,  2H025DA34 ,  2H025DA40 ,  2H025FA03 ,  2H025FA17 ,  2H025FA41 ,  2H025FA47 ,  2H096AA25 ,  2H096CA05 ,  2H096CA06 ,  2H096CA20 ,  2H096EA02 ,  2H096EA03 ,  2H096EA07 ,  2H096GA08 ,  2H096HA23 ,  2H096JA04 ,  2H096LA07 ,  2H096LA08 ,  4M104BB02 ,  4M104DD65 ,  4M104DD71 ,  4M104HH14 ,  4M104HH20 ,  5F004AA08 ,  5F004BA14 ,  5F004DA01 ,  5F004DA04 ,  5F004DA11 ,  5F004DA16 ,  5F004DA23 ,  5F004DA25 ,  5F004DA26 ,  5F004DB09 ,  5F004DB12 ,  5F004DB23 ,  5F004DB26 ,  5F004EA22 ,  5F004EA26 ,  5F033HH08 ,  5F033HH33 ,  5F033MM05 ,  5F033QQ03 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ12 ,  5F033QQ26 ,  5F033WW02 ,  5F033XX00 ,  5F033XX31 ,  5F046HA07 ,  5F046JA22 ,  5F046LA18 ,  5F046PA04 ,  5F058AA05 ,  5F058AA08 ,  5F058AA10 ,  5F058AC08 ,  5F058AD01 ,  5F058AD08 ,  5F058AF02 ,  5F058AF04 ,  5F058AF10 ,  5F058AG04 ,  5F058AH01
引用特許：
審査官引用 (7件)
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