特許
J-GLOBAL ID：200903096498195035
半導体ウエハの裏面研削方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 俊一郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-401044
公開番号（公開出願番号）：特開2002-203827
出願日： 2000年12月28日
公開日（公表日）： 2002年07月19日
要約：
【要約】【課題】 表面の凹凸差の大きな半導体ウエハの裏面研削時に、特に極薄にまで半導体ウエハを研削しても均一な厚みで研削でき、ディンプルの発生を防止できるような半導体ウエハの裏面研削方法を提供すること。【解決手段】 本発明に係る半導体ウエハの裏面研削方法は、半導体ウエハ凹凸表面上に、凹凸が埋没するように被膜形成用塗布液を塗布し、該塗布液表面を平滑化して被膜化し、被膜面を固定してウエハの裏面を研削し、半導体ウエハ凹凸表面から被膜を剥離する工程からなり、前記被膜の破断伸度が30〜700%であり、破断応力が1.0×107〜5.0×107Paであることを特徴としている。
請求項（抜粋）：
半導体ウエハ凹凸表面上に、凹凸が埋没するように被膜形成用塗布液を塗布し、該塗布液表面を被膜化し、被膜面を固定してウエハの裏面を研削し、半導体ウエハ凹凸表面から被膜を剥離する工程からなり、前記被膜の破断伸度が30〜700%であり、破断応力が1.0×107〜5.0×107Paであることを特徴とする半導体ウエハの裏面研削方法。
IPC (2件)：
H01L 21/304 631
, H01L 21/301
H01L 21/304 631
, H01L 21/78 M
