特許

J-GLOBAL ID：200903096537742480

選択ド-プされた障壁を有する多量子井戸レ-ザ

発明者： クラウス アレキサンダー アンセルム ,  ジェームス ネルソン バイラージオン ,  アルフレッド イー. チョー
出願人/特許権者： ルーセント テクノロジーズ インコーポレーテッド
代理人 (1件)： 岡部 正夫 (外11名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-225498
公開番号（公開出願番号）：特開2000-068611
出願日： 1999年08月09日
公開日（公表日）： 2000年03月03日
要約：

【要約】【課題】 本発明は、選択ドープされた障壁を有する多量子井戸レーザを提供する。【解決手段】 MQWレーザは活性領域を含み、その中で複数の障壁のそれぞれはアンドープ障壁層により、隣接する量子井戸層から分離されたドープされた障壁層を含む。好ましい実施例において、InGaAsP/InP SCH MQWレーザの各障壁は、一対のアンドープInGaAsP障壁層の間にはさまれたp形(たとえばBe、Mg又はC)デルタドープInGaAsP層を含み、デルタドープ層の適切なドーピング濃度及び厚さで、82Kもの高いTo を有するMQWレーザを示した。

請求項（抜粋）：

複数の積層くり返し単位を含み、各単位は相互に隣接した量子井戸層及び障壁領域を含み、前記量子井戸層は適切なポンピングエネルギーが印加された時、放射の刺激放出を生成できる半導体活性領域を含むMQWレーザにおいて、前記障壁領域は複数の障壁層を含み、前記障壁層の少なくとも1つはドープ層で、少なくとも1つは前記量子井戸層を前記ドープ障壁層から分離するよう配置されたアンドープ層であることを特徴とするMQWレーザ。

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体レーザおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-265964   出願人：松下電器産業株式会社
• 半導体レーザ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-094239   出願人：松下電器産業株式会社
• 半導体レーザ素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-192211   出願人：三井石油化学工業株式会社
• 半導体レーザ素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-339543   出願人：三井石油化学工業株式会社