特許
J-GLOBAL ID：200903096686107291
深いトレンチキャパシター蓄積電極の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
志賀 正武 (外8名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-316013
公開番号（公開出願番号）：特開2001-144265
出願日： 1999年11月05日
公開日（公表日）： 2001年05月25日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 深いトレンチ底部のサイズを拡大して、蓄積電極の面積を増大させ、深いトレンチキャパシターのキャパシター値を向上させる。【解決手段】 基板200に適用され、ハードマスク膜202により基板上に深いトレンチ207をパターニングするとともに、基板およびハードマスク膜間にパッド絶縁膜204を有するものであって、少なくとも、深いトレンチ中に絶縁材料を形成し、絶縁材料が深いトレンチを全面的に充填することなく、絶縁材料より高い深いトレンチの側壁表面を露出させ、絶縁材料より高い深いトレンチの側壁上に硬質材料スペースウォール210を形成し、絶縁材料を除去して、深いトレンチ底部の基板表面を露出させ、深いトレンチ中にドーピング膜214を形成して、深いトレンチ底部の露出された基板表面を被覆し、加熱工程を行って、深いトレンチ底部の基板にドーピング領域を形成し、ボトル状の深いトレンチの蓄積電極とするものである。
請求項（抜粋）：
基板に適用され、ハードマスク膜により前記基板上に深いトレンチをパターニングするとともに、前記基板および前記ハードマスク膜間にパッド絶縁膜を有するものであって、少なくとも、前記深いトレンチ中に絶縁材料を形成し、前記絶縁材料が前記深いトレンチを全面的に充填することなく、前記絶縁材料より高い前記深いトレンチの側壁表面を露出させるステップと、前記絶縁材料より高い前記深いトレンチの側壁上に硬質材料スペースウォールを形成するステップと、前記絶縁材料を除去して、前記深いトレンチ底部の前記基板表面を露出させるステップと、前記深いトレンチ中にドーピング膜を形成して、前記深いトレンチ底部の露出された前記基板表面を被覆するステップと、加熱工程を行って、前記深いトレンチ底部の前記基板にドーピング領域を形成し、前記深いトレンチの蓄積電極とするステップとを具備する深いトレンチキャパシター蓄積電極の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 27/108
, H01L 21/8242
5F083AD16
, 5F083AD60
, 5F083GA27
, 5F083JA04
, 5F083PR05
, 5F083PR21
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (9件)
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