特許

J-GLOBAL ID：200903096690597104

半導体膜、半導体装置およびそれらの作製方法

発明者： 宮入 秀和 ,  志賀 愛子 ,  野村 克己 ,  牧田 直樹 ,  松尾 拓哉
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所 ,  シャープ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-311756
公開番号（公開出願番号）：特開2003-124114
出願日： 2001年10月09日
公開日（公表日）： 2003年04月25日
要約：

【要約】【課題】 特開平8-78329号公報の技術にさらなる新たな改良を加え、結晶構造を有する半導体膜の膜特性を向上する作製方法、並びにそのような半導体膜を活性層として用いた、電界効果移動度等のTFT特性に優れたTFT、およびその作製方法を提供する。【解決手段】 膜中の酸素濃度が5×1018/cm3未満である非晶質構造を有する半導体膜に珪素の結晶化を助長する金属元素を添加し、前記非晶質構造を有する半導体膜を加熱処理して結晶構造を有する半導体膜を形成した後、表面の酸化膜を除去し、前記結晶構造を有する半導体膜に酸素を導入し、膜中の酸素濃度を5×1018/cm3〜1×1021/cm3とする処理を行い、半導体膜表面の酸化膜を除去した後、不活性気体雰囲気または真空中でレーザー光を照射して半導体膜の表面を平坦化する。

請求項（抜粋）：

半導体膜表面において、不規則な網目模様を有し、凸部が連なって尾根状に延びているリッジは多方向に分岐し、該リッジで不規則に挟まれた平坦部及び凹部を含む領域における任意の2点間は、前記リッジにより阻まれない経路を少なくとも一つ有していることを特徴とする半導体膜。

IPC (4件)：

H01L 21/20 ,  G02F 1/1368 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/786

FI (6件)：

H01L 21/20 ,  G02F 1/1368 ,  H01L 29/78 627 A ,  H01L 29/78 627 G ,  H01L 29/78 627 Z ,  H01L 29/78 618 Z

Fターム (111件)：

2H092JA25 ,  2H092JA34 ,  2H092JA37 ,  2H092JA41 ,  2H092JA46 ,  2H092JA47 ,  2H092JB07 ,  2H092JB57 ,  2H092JB58 ,  2H092KA04 ,  2H092KA05 ,  2H092KA07 ,  2H092KA10 ,  2H092KB04 ,  2H092KB13 ,  2H092MA04 ,  2H092MA05 ,  2H092MA08 ,  2H092MA09 ,  2H092MA12 ,  2H092MA18 ,  2H092MA27 ,  2H092MA30 ,  2H092NA22 ,  2H092NA24 ,  2H092NA27 ,  2H092NA29 ,  2H092PA13 ,  5F052AA17 ,  5F052AA24 ,  5F052CA08 ,  5F052DA02 ,  5F052DB02 ,  5F052DB03 ,  5F052DB07 ,  5F052EA15 ,  5F052EA16 ,  5F052FA06 ,  5F052HA06 ,  5F052JA01 ,  5F110AA01 ,  5F110AA18 ,  5F110BB02 ,  5F110BB04 ,  5F110CC02 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE09 ,  5F110EE14 ,  5F110EE15 ,  5F110EE23 ,  5F110FF04 ,  5F110FF12 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG22 ,  5F110GG23 ,  5F110GG25 ,  5F110GG32 ,  5F110GG33 ,  5F110GG34 ,  5F110GG43 ,  5F110GG45 ,  5F110GG47 ,  5F110GG58 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ12 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ23 ,  5F110HL02 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HM15 ,  5F110NN02 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN35 ,  5F110NN72 ,  5F110NN73 ,  5F110PP01 ,  5F110PP02 ,  5F110PP03 ,  5F110PP10 ,  5F110PP13 ,  5F110PP29 ,  5F110PP34 ,  5F110PP35 ,  5F110PP38 ,  5F110QQ04 ,  5F110QQ09 ,  5F110QQ19 ,  5F110QQ23 ,  5F110QQ25 ,  5F110QQ28

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体薄膜、半導体装置および半導体薄膜の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-255644   出願人：シャープ株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-232546   出願人：富士通株式会社
• 半導体装置の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-232576   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 半導体装置の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-093645   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所