特許
J-GLOBAL ID：200903096691738763

液晶表示装置及びその製造方法

発明者：
洪賛恵

洪賛恵 について

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林柄昊

林柄昊 について

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金鐘宇

金鐘宇 について

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金恵英

金恵英 について


出願人/特許権者：
エルジー・エルシーディー株式会社

エルジー・エルシーディー株式会社 について


代理人 (1件)： 稲葉 良幸 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-033477
公開番号（公開出願番号）：特開平11-288007
出願日： 1999年02月10日
公開日（公表日）： 1999年10月19日
要約：
【要約】【課題】 本発明は、液晶表示装置の製造において、マスク数を減少させて製造する方法及びその液晶表示装置に関する。【解決手段】 本発明は、ゲート物質にアルミニウムとアルミニウムを覆うモリブデン、タンタル、タングステン、又はアンチモンを連続蒸着し、単一マスクでパターン化した。そして、静電気短絡配線の切断工程を保護膜パターン工程と洗浄工程を実施する。従って、本発明による液晶表示装置は、基板上に第1コンタクトホールを有する第1金属層と、前記第1金属層を覆って前記第1コンタクトホールより小さい第2コンタクトホールを有する第2金属層と、前記第2金属層を覆って前記第1コンタクトホールより大きい第3コンタクトホールを有する絶縁層と、前記第3コンタクトホールを通して露出された第2金属層と接触して絶縁層上に形成された導電層を含むパッド部を含む。
請求項（抜粋）：
基板上に第1金属及び第2金属を連続蒸着し、パターン化して第1及び第2金属層を有するゲート配線、ゲート電極及びゲートパッドを形成する段階と、前記ゲート配線、ゲート電極及びゲートパッドを覆うゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上の前記ゲート電極部分に半導体層と、前記半導体層上に不純物半導体層を形成する段階と、前記不純物半導体層上に第3金属でソース配線、ソース電極、ドレイン電極及びソースパッドを形成する段階と、前記ソース配線、前記ソース電極、前記ドレイン電極及び前記ソースバッド上に保護膜を形成する段階と、前記ゲートパッドを覆うゲート絶縁膜及び保護膜をパターン化してゲートパッドを露出させるゲートコンタクトホール、前記ドレイン電極を露出するドレインコンタクトホール及び前記ソースパッドを露出するソースコンタクトホールを形成し、前記ゲートコンタクトホールに露出された第2金属層及び前記第2金属層下にある第1金属層を除去する段階と、前記保護膜上に導電物質を蒸着しパターン化して前記ドレイン電極に連結された画素電極と、前記ゲートパッドに連結されたゲートパッド端子及び前記ソースパッドに連結されたソースパッド端子を形成する段階と、を含む液晶表示装置の製造方法。
IPC (3件)：
G02F 1/136 500 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336
FI (4件)：
G02F 1/136 500 ,  H01L 29/78 612 C ,  H01L 29/78 612 D ,  H01L 29/78 617 L
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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