特許
J-GLOBAL ID：200903096834023256
導波路型半導体光集積素子およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
若林 忠 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-007650
公開番号（公開出願番号）：特開平11-204773
出願日： 1998年01月19日
公開日（公表日）： 1999年07月30日
要約：
【要約】【課題】 導波路型半導体光素子において導波路での吸収損失を小さくし特性を向上させる。また同素子を用いて光モジュールおよび光通信システムを低コストに実現する。【解決手段】 発光部と受動光導波路部を含む導波路型半導体光集積素子において、前記発光部の活性層の膜厚が一定であり、この活性層幅が5μm以下であり、前記受動光導波路部のコア層の膜厚が光の伝搬する方向に沿って薄くなるようにテーパ状に変調されており、このコア層の幅が活性層幅よりも広く、この発光部の活性層と受動光導波路部のコア層は一括して選択成長により形成されたものであることを特徴とする導波路型半導体光集積素子。
請求項（抜粋）：
発光部と受動光導波路部を含む導波路型半導体光集積素子において、前記発光部の活性層の膜厚が一定であり、この活性層幅が5μm以下であり、前記受動光導波路部のコア層の膜厚が光の伝搬する方向に沿って薄くなるようにテーパ状に変調されており、このコア層の幅が活性層幅よりも広く、この発光部の活性層と受動光導波路部のコア層は一括して選択成長により形成されたものであることを特徴とする導波路型半導体光集積素子。
IPC (4件)：
H01L 27/15
, G02B 6/122
, G02F 1/025
, H01S 3/18
H01L 27/15 C
, G02F 1/025
, H01S 3/18
, G02B 6/12 A
, G02B 6/12 B
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (11件)
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