特許
J-GLOBAL ID：200903026820932239

光半導体装置及びその製造方法

発明者：
雙田 晴久

雙田 晴久 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (1件)： 岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-174623
公開番号（公開出願番号）：特開平8-046295
出願日： 1994年07月26日
公開日（公表日）： 1996年02月16日
要約：
【要約】【目的】モード変換器付の光半導体装置に関し、低閾電流で発振し、導波路での光吸収を少なくし、製造を容易にすること。【構成】第1の電極層の上に設けられた第1のクラッド層と、光を発振する利得領域から光を導波するモード変換領域にかけて形成され、該モード変換領域では前記利得領域から離れるにつれて膜厚が薄くなるように前記第1のクラッド層上に形成された半導体層と、前記半導体層上に形成され、前記光の進行方向に延在するリッジ部を上部に有する第2のクラッド層と、前記第2のクラッド層の前記リッジ部上の前記利得領域に形成された第2の電極とを含む。
請求項（抜粋）：
第1の電極層の上に設けられた第1のクラッド層と、光を発振する利得領域から光を導波するモード変換領域にかけて形成され、該モード変換領域では前記利得領域から離れるにつれて膜厚がなだらかに薄くなるように前記第1のクラッド層上に形成された半導体層と、前記半導体層上に形成され、前記光の進行方向に延在するリッジ部を上部に有する第2のクラッド層と、前記第2のクラッド層の前記リッジ部上の前記利得領域に形成された第2の電極と、を有する光半導体装置。
IPC (3件)：
H01S 3/18 ,  G02B 6/13 ,  G02B 6/14
引用特許：
審査官引用 (12件)
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