特許
J-GLOBAL ID：200903096871304834

パターン検査装置および方法

発明者：
北村 正

北村 正 について

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久保田 和文

久保田 和文 について

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中澤 伸一

中澤 伸一 について

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ニーティー ヴォーラ

ニーティー ヴォーラ について

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山本 昌宏

山本 昌宏 について


出願人/特許権者：
株式会社ナノジオメトリ研究所

株式会社ナノジオメトリ研究所 について


代理人 (5件)： 渡邉 勇 ,  堀田 信太郎 ,  小杉 良二 ,  森 友宏 ,  廣澤 哲也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-039871
公開番号（公開出願番号）：特開2005-277395
出願日： 2005年02月16日
公開日（公表日）： 2005年10月06日
要約：
【課題】 設計データの情報を使ったパターン検査装置および方法を提供する。【解決手段】 検査対象パターン画像と前記検査対象パターンを製造するために使用する設計データを用いて検査するパターン検査装置であって、前記設計データから線分もしくは曲線で表現された基準パターンを生成する生成手段11と、前記検査対象パターン画像を生成する生成手段7と、前記検査対象パターン画像のエッジを検出する手段12と、前記検査対象パターン画像のエッジと前記線分もしくは曲線で表現された基準パターンとを比較することにより、前記検査対象パターンを検査する検査手段12とを備え、同一の設計データに基づいて製造された複数の半導体デバイスに対して同じ検査領域から得られた欠陥情報を得て、前記得られた欠陥情報から繰り返し発生する欠陥を認識する。【選択図】 図17
請求項（抜粋）：
検査対象パターン画像と前記検査対象パターンを製造するために使用する設計データを用いて検査するパターン検査装置であって、 前記設計データから線分もしくは曲線で表現された基準パターンを生成する生成手段と、 前記検査対象パターン画像を生成する生成手段と、 前記検査対象パターン画像のエッジを検出する手段と、 前記検査対象パターン画像のエッジと前記線分もしくは曲線で表現された基準パターンとを比較することにより、前記検査対象パターンを検査する検査手段とを備え、 同一の前記設計データに基づいて製造された複数の半導体デバイスに対して同じ検査領域から得られた欠陥情報を得て、前記得られた欠陥情報から繰り返し発生する欠陥を認識することを特徴とするパターン検査装置。
IPC (4件)：
H01L21/66 ,  G01N21/956 ,  G06T1/00 ,  G06T3/00
FI (4件)：
H01L21/66 J ,  G01N21/956 A ,  G06T1/00 305B ,  G06T3/00 500A
Fターム (35件)：
2G051AA51 ,  2G051AA56 ,  2G051AB02 ,  2G051AC02 ,  2G051AC21 ,  2G051CA04 ,  2G051EC06 ,  2G051ED22 ,  4M106AA01 ,  4M106BA02 ,  4M106CA39 ,  4M106DB05 ,  4M106DJ11 ,  4M106DJ18 ,  4M106DJ20 ,  4M106DJ21 ,  4M106DJ23 ,  5B057AA03 ,  5B057BA01 ,  5B057CA08 ,  5B057CA12 ,  5B057CA16 ,  5B057CB08 ,  5B057CB12 ,  5B057CB17 ,  5B057CC02 ,  5B057CE15 ,  5B057DA03 ,  5B057DB02 ,  5B057DB09 ,  5B057DC03 ,  5B057DC08 ,  5B057DC17 ,  5B057DC33 ,  5B057DC36
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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