特許
J-GLOBAL ID：200903096872727941

AlGaInP系発光ダイオード

発明者：
竹内 良一

竹内 良一 について

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鍋倉 亙

鍋倉 亙 について

, 
宇田川 隆

宇田川 隆 について


出願人/特許権者：
昭和電工株式会社

昭和電工株式会社 について


代理人 (1件)： 矢口 平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-325251
公開番号（公開出願番号）：特開2001-144329
出願日： 1999年11月16日
公開日（公表日）： 2001年05月25日
要約：
【要約】【課題】発光層、III-V族化合物半導体層、分割して配置されたオーミック電極、発光透過用の窓層、および結線用の台座電極を有するAlGaInP系発光ダイオードにおいて、動作電流を発光部の広範な領域に拡散し高輝度のAlGaInP系LEDを提供する。【解決手段】台座電極の直下に高抵抗III-V族化合物半導体層を設け、さらに好ましくはオーミック電極の直下に低抵抗III-V族化合物半導体層を設けることにより、動作電流を開放発光領域に有効的に配分する。
請求項（抜粋）：
発光層、III-V族化合物半導体層、分割して配置されたオーミック電極、発光透過用の窓層、および結線用の台座電極を有するAlGaInP系発光ダイオードにおいて、分割して配置されたオーミック電極が素子平面における台座電極の射影領域外に形成され、台座電極とIII-V族化合物半導体層との間に該III-V族化合物半導体層より高い抵抗を呈するIII-V族化合物半導体層(高抵抗III-V族化合物半導体層)が設けられていることを特徴とするAlGaInP系発光ダイオード。
FI (2件)：
H01L 33/00 E ,  H01L 33/00 B
Fターム (11件)：
5F041AA04 ,  5F041CA04 ,  5F041CA34 ,  5F041CA35 ,  5F041CA65 ,  5F041CA73 ,  5F041CA85 ,  5F041CA88 ,  5F041CA93 ,  5F041CA99 ,  5F041CB15
引用特許：
審査官引用 (5件)
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