特許
J-GLOBAL ID：200903096927633461
超小型DRAMセルおよびその作成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
坂口 博 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-132194
公開番号（公開出願番号）：特開2000-022100
出願日： 1999年05月13日
公開日（公表日）： 2000年01月21日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 Fが最小リソグラフィ寸法である場合に4.5F2以下のサイズを有する半導体メモリ・セルに関する構造および製造方法を提供する。【解決手段】 この半導体メモリ・セルは、トレンチ内に形成された記憶キャパシタ12と、トレンチの外周の実質的な弧の上に延びる実質的に電気的に分離されたメサ領域内に形成されたトランスファ・デバイスと、トランスファ・デバイスを記憶キャパシタに導電接続する埋込みストラップとを含み、トランスファ・デバイスは埋込みストラップから除去された弧の所定の位置に位置する被制御伝導チャネルを含む。
請求項（抜粋）：
基板にエッチングされたトレンチ内に形成された記憶キャパシタと、前記深型トレンチの外周の実質的な弧の上に延びる実質的に電気的に分離されたメサ領域内に形成されたトランスファ・デバイスであって、前記深型トレンチとの電気的相互接続部を有するトランスファ・デバイスとを含む、半導体メモリ・セル。
IPC (2件)：
H01L 27/108
, H01L 21/8242
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (3件)
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