パターン形成方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：前田弘 , 小山廣毅 , 竹内宏 , 竹内祐二 , 今江克実 , 原田智雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-177884
公開番号（公開出願番号）：特開2005-017332
出願日： 2003年06月23日
公開日（公表日）： 2005年01月20日
要約：

【課題】浸漬リソグラフィにより得られるレジストパターンの形状を良好にする。【解決手段】吸湿性化合物を含むレジスト膜102を形成した後、該レジスト膜102の上に水103を供給した状態で、レジスト膜102に対して露光光104を選択的に照射してパターン露光を行なう。パターン露光が行なわれたレジスト膜102に対して現像を行なってレジストパターン105を形成する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

吸湿性化合物を含むレジスト材料よりなるレジスト膜を形成する工程と、前記レジスト膜の上に水を供給した状態で、前記レジスト膜に対して露光光を選択的に照射してパターン露光を行なう工程と、パターン露光が行なわれた前記レジスト膜に対して現像を行なってレジストパターンを形成する工程とを備えていることを特徴とするパターン形成方法。

IPC (3件)：

G03F7/38 , G03F7/004 , H01L21/027

FI (3件)：

G03F7/38 501 , G03F7/004 501 , H01L21/30 502R

Fターム (13件)：

2H025AA02 , 2H025AB16 , 2H025AC08 , 2H025AD01 , 2H025AD03 , 2H025FA01 , 2H025FA08 , 2H096AA25 , 2H096BA01 , 2H096BA09 , 2H096EA05 , 2H096EA23 , 2H096EA27

引用特許：

審査官引用 (5件)

液浸型露光装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-121757 出願人：株式会社ニコン
感放射線性樹脂組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-052637 出願人：日本合成ゴム株式会社
新規スルホニウム塩及び化学増幅ポジ型レジスト材料
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-307362 出願人：信越化学工業株式会社, 日本電信電話株式会社

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引用文献：

審査官引用 (1件)

RESOLUTION ENHANCEMENT OF 157nm LITHOGRAPHY BY LIQUID IMMERSION

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