特許
J-GLOBAL ID：200903069523957975
新規スルホニウム塩及び化学増幅ポジ型レジスト材料
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
小島 隆司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-307362
公開番号（公開出願番号）：特開平9-323970
出願日： 1996年11月01日
公開日（公表日）： 1997年12月16日
要約：
【要約】 (修正有)【解決手段】 下記一般式(1)で示され、分子中のフェニル基に少なくとも1つの酸不安定基を有し、かつ直鎖状、分岐状又は環状のアルキルスルホネートを持つことを特徴とするスルホニウム塩。(但し、式中R1はアルキル基、アルコキシ基又はジアルキルアミノ基、OR2は酸不安定基、Yは炭素数1〜20のアルキルスルホネートで、その構造中にカルボニル二重結合、エーテル結合又はアルコール性水酸基を含んでいてもよい。nは0〜2の整数、mは1〜3の整数、n+mは3、rは1〜5の整数、pは0〜5の整数、qは0〜4の整数、q+rは1〜5の整数である。)【効果】 式(1)のスルホニウム塩は、微細加工技術に適した高解像性を有する化学増幅ポジ型レジスト材料の成分として有効である。
請求項（抜粋）：
下記一般式(1)で示され、分子中のフェニル基に少なくとも1つの酸不安定基を有し、かつ直鎖状、分岐状又は環状のアルキルスルホネートを持つことを特徴とするスルホニウム塩。【化1】(但し、式中R1はアルキル基、アルコキシ基又はジアルキルアミノ基であり、それぞれ同じでも異なってもよい。OR2は酸不安定基であり、Yは炭素数1〜20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキルスルホネートで、その構造中にC=Oカルボニル二重結合、C-O-Cエーテル結合又はアルコール性水酸基を含んでいてもよい。nは0〜2の整数、mは1〜3の整数で、かつn+mは3である。rは1〜5の整数であり、pは0〜5の整数、qは0〜4の整数でq+rは1〜5の整数である。)
IPC (5件)：
C07C381/12
, G03F 7/004 501
, G03F 7/004 503
, G03F 7/039 601
, H01L 21/027
C07C381/12
, G03F 7/004 501
, G03F 7/004 503 A
, G03F 7/039 601
, H01L 21/30 502 R
