半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：河宮治 , 山田卓二 , 中野晴夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-043908
公開番号（公開出願番号）：特開2005-354031
出願日： 2005年02月21日
公開日（公表日）： 2005年12月22日
要約：

【課題】寄生トランジスタ動作を抑制して、低損失化、高破壊耐量化を図った半導体装置を提供する。【解決手段】第1および第2主面を有する第1導電型の半導体層と、半導体層の第1主面に形成された第2導電型のベース領域と、ベース領域中に形成された第1導電型のエミッタ領域と、半導体層の第2主面に、半導体層側から順次積層されたに第1導電型のバッファ層および第2導電型のコレクタ層とを含み、エミッタ領域とコレクタ領域との間に流れる電流をベース領域で制御する半導体装置において、バッファ層の第1導電型の不純物濃度の最大値が略5×1015cm-3以下で、コレクタ層の第2導電型の不純物濃度の最大値が略1×1017cm-3以上で、コレクタ層の第2導電型の不純物濃度の最大値が、バッファ層の第1導電型の不純物濃度の最大値の100倍以上である。更に、コレクタ層の膜厚が、略1μm以上である。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1および第2主面を有する第1導電型の半導体層と、該半導体層の第1主面に形成された第2導電型のベース領域と、該ベース領域中に形成された第1導電型のエミッタ領域と、該半導体層の第2主面に、該半導体層側から順次積層されたに第1導電型のバッファ層および第2導電型のコレクタ層とを含み、該エミッタ領域と該コレクタ領域との間に流れる電流を該ベース領域で制御する半導体装置であって、該バッファ層の第1導電型の不純物濃度の最大値が略5×1015cm-3以下で、該コレクタ層の第2導電型の不純物濃度の最大値が略1×1017cm-3以上で、該コレクタ層の第2導電型の不純物濃度の最大値が、該バッファ層の第1導電型の不純物濃度の最大値の100倍以上であり、該コレクタ層の膜厚が、略1μm以上であることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L29/78 , H01L21/336

FI (5件)：

H01L29/78 655C , H01L29/78 652P , H01L29/78 655B , H01L29/78 655F , H01L29/78 658H

引用特許：

出願人引用 (4件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-060419 出願人：株式会社東芝
高耐圧半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-100147 出願人：株式会社東芝
特開平04-240775号公報

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審査官引用 (6件)

電力用半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-107252 出願人：株式会社東芝
電力用半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-001713 出願人：三菱電機株式会社
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-060419 出願人：株式会社東芝

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