特許
J-GLOBAL ID：200903097059525874
薄膜型電子源および薄膜型電子源応用機器
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-314502
公開番号（公開出願番号）：特開平9-320456
出願日： 1996年11月26日
公開日（公表日）： 1997年12月12日
要約：
【要約】【課題】下部電極、絶縁層、上部電極をこの順に積層した薄膜型電子源において、絶縁層の劣化を起こり難くする。【解決手段】上部電極を絶縁層側から界面層,中間層,表面層の3層構造とし、中間層材料の昇華エンタルピーが表面層のそれより大きく,界面層のそれより小さくなるように構成する。または、表面層を省略して2層構造にする。【効果】長寿命で高輝度の画像表示装置や高速の電子線描画装置が実現できる。
請求項（抜粋）：
下部電極、絶縁層、上部電極をこの順に積層した構造を有し、前記下部電極と前記上部電極の間に、前記上部電極が正電圧になる極性の電圧を印加した際に、前記上部電極の表面から真空中に電子を放出する薄膜型電子源において、前記上部電極は、前記絶縁層側から界面層、中間層および表面層を積層した3層構造であり,前記中間層の昇華エンタルピーは前記界面層のそれよりも小さく,かつ前記表面層のそれよりも大きいことを特徴とする薄膜型電子源。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
審査官引用 (9件)
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特開昭63-091925
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特開昭63-091925
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半導体装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願平3-261632
出願人：ソニー株式会社
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