特許

J-GLOBAL ID：200903097178720260

Bi系酸化物超電導体製造用仮焼粉及びBi系酸化物超電導体

発明者： 村田 篤 ,  村上 法史 ,  山口 和也 ,  松井 快成
出願人/特許権者： 同和鉱業株式会社
代理人 (1件)： 阿仁屋 節雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-158635
公開番号（公開出願番号）：特開2000-344525
出願日： 1999年06月04日
公開日（公表日）： 2000年12月12日
要約：

【要約】【課題】 焼結法を用いて高い臨界電流密度特性を有するBi系酸化物超電導体を得ることができるBi系酸化物超電導体製造用仮焼粉及びこの仮焼粉を用いて製造したBi系酸化物超電導体を提供する。【解決手段】 仮焼の際の最高温度を720°C〜840°C、より望ましくは760°C〜820°Cとし、その温度内で少なくともl°C以上異なる仮焼条件で仮焼して得た複数の1次仮焼粉を2種類以上混合して、再度2次仮焼して仮焼粉を得、この仮焼粉を成形・焼結してBi系酸化物超電導体を得る。

請求項（抜粋）：

Bi系酸化物超電導体製造用仮焼粉において、仮焼の際の最高温度を720°C〜840°C、より望ましくは760°C〜820°Cとし、その温度内の仮焼条件で仮焼して得た複数の1次仮焼粉を少なくとも2種類以上混合して、再度2次仮焼して得たことを特徴とするBi系酸化物超電導体製造用仮焼粉。

IPC (3件)：

C01G 29/00 ZAA ,  C01G 1/00 ,  C04B 35/45 ZAA

FI (3件)：

C01G 29/00 ZAA ,  C01G 1/00 S ,  C04B 35/00 ZAA K

Fターム (22件)：

4G030AA04 ,  4G030AA09 ,  4G030AA31 ,  4G030AA40 ,  4G030AA43 ,  4G030BA02 ,  4G030CA02 ,  4G030GA04 ,  4G030GA08 ,  4G047JA01 ,  4G047JB02 ,  4G047JC10 ,  4G047KB01 ,  4G047KB04 ,  4G047KB17 ,  4G047LB01 ,  4G048AA05 ,  4G048AB05 ,  4G048AC04 ,  4G048AD03 ,  4G048AD06 ,  4G048AE05

引用特許：

審査官引用 (8件)

• Bi系酸化物超電導体製造用の仮焼粉およびこれを焼結してなるBi-2223相多結晶体
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-038524   出願人：同和鉱業株式会社
• 特開平4-237910
  
• 高温超電導体厚膜の製造法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-140491   出願人：日立化成工業株式会社
• Bi系高温相超電導体用の仮焼粉と多結晶体
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-306241   出願人：同和鉱業株式会社
• 特開平3-247550
  
• Bi系酸化物超電導体製造用の仮焼粉
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-279888   出願人：同和鉱業株式会社
• 特開平4-048518
  
• 特開平1-320258