特許
J-GLOBAL ID:200903097206760159
基板処理装置
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件):
吉田 茂明
, 吉竹 英俊
, 有田 貴弘
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2006-020412
公開番号(公開出願番号):特開2007-201330
出願日: 2006年01月30日
公開日(公表日): 2007年08月09日
要約:
【課題】処理液により基板を処理する基板処理装置において、処理液の処理性能を維持し、基板処理装置の稼働率を向上させるとともに、処理液の消費量や排液量を低減できる技術を提供する。【解決手段】基板処理装置1は、処理液の循環経路の途中に、処理液を冷却する冷却機構25と、処理液中の不純物を除去するフィルタ26,27とを備える。これにより、処理液中に溶解している不純物を析出させ、析出した不純物を除去する。このため、処理液の処理性能が維持され、処理液を再利用できる。また、処理液を新液に交換する頻度が低減されるため、基板処理装置の稼働率が向上するとともに、処理液の消費量や排液量が低減される。【選択図】図1
請求項(抜粋):
基板を処理液により処理する基板処理装置であって、
基板を収納するとともに、処理液を貯留する処理槽と、
前記処理槽から排出された処理液を再度前記処理槽へ供給する循環経路と、
前記循環経路途中において処理液を冷却する冷却手段と、
前記循環経路途中の前記冷却手段よりも下流側において、処理液中に含まれる不純物を除去する不純物除去手段と、
を備えることを特徴とする基板処理装置。
IPC (3件):
H01L 21/304
, H01L 21/027
, H01L 21/306
FI (5件):
H01L21/304 648F
, H01L21/30 572B
, H01L21/306 J
, H01L21/304 642A
, H01L21/304 648K
Fターム (13件):
5F043AA31
, 5F043AA35
, 5F043EE01
, 5F043EE21
, 5F043EE22
, 5F043EE24
, 5F043EE25
, 5F043EE27
, 5F043EE30
, 5F043EE32
, 5F043EE33
, 5F046MA06
, 5F046MA10
引用特許:
出願人引用 (1件)
審査官引用 (4件)
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半導体製造装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平8-022676
出願人:三菱電機株式会社
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半導体製造装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-193399
出願人:山形日本電気株式会社
-
湿式成膜装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-162054
出願人:株式会社荏原製作所
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