特許
J-GLOBAL ID：200903097219632478

半導体装置

発明者：
池田 裕之

池田 裕之 について

, 
田中 一雄

田中 一雄 について

, 
石塚 裕康

石塚 裕康 について

, 
高桑 浩一郎

高桑 浩一郎 について


出願人/特許権者：
株式会社ルネサステクノロジ

株式会社ルネサステクノロジ について


代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-285593
公開番号（公開出願番号）：特開2006-100606
出願日： 2004年09月30日
公開日（公表日）： 2006年04月13日
要約：
【課題】 複数の電源系の間で生じる静電破壊の内、特にCDMによる静電破壊に対し、少ない数の保護回路で防止することが可能な半導体装置を提供する。【解決手段】 電源電圧Vdd1および基準電圧Vss1で動作する回路ブロック[1]10と、電源電圧Vdd2および基準電圧Vss2で動作する回路ブロック[2]11を含む構成において、前記電源電圧Vdd1と前記基準電圧Vss2の間をクランプするクランプ回路[1]13aと、前記電源電圧Vdd2と前記基準電圧Vss1の間をクランプするクランプ回路[2]13bと、前記基準電圧Vss1と前記基準電圧Vss2の間をクランプするクランプ回路[3]13cを設ける。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
第1の電源電圧および第1の基準電圧によって動作する第1の回路ブロックと、第2の電源電圧および第2の基準電圧によって動作する第2の回路ブロックとを備え、前記第1の回路ブロックと前記第2の回路ブロックとの間で信号の送受信が行われる半導体装置であって、 前記第1の電源電圧と前記第2の基準電圧との間をクランプする第1のクランプ回路と、 前記第2の電源電圧と前記第1の基準電圧との間をクランプする第2のクランプ回路と、 前記第1の基準電圧と前記第2の基準電圧との間をクランプする第3のクランプ回路とを有することを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 27/04 ,  H01L 21/822
FI (1件)：
H01L27/04 H
Fターム (11件)：
5F038BH02 ,  5F038BH03 ,  5F038BH04 ,  5F038BH05 ,  5F038BH07 ,  5F038BH13 ,  5F038BH15 ,  5F038CA03 ,  5F038CD02 ,  5F038CD05 ,  5F038EZ20
引用特許：
出願人引用 (4件)
  • 半導体集積回路装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-301847   出願人：ローム株式会社
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-010704   出願人：松下電器産業株式会社
  • 半導体集積回路装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-136694   出願人：日本電気株式会社
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審査官引用 (4件)
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