特許
J-GLOBAL ID：200903097255499890

半導体ウエハ加工用保護シート及び半導体ウエハの裏面研削方法

発明者：
赤沢 光治

赤沢 光治 について


出願人/特許権者：
日東電工株式会社

日東電工株式会社 について


代理人 (4件)： 鈴木 崇生 ,  梶崎 弘一 ,  尾崎 雄三 ,  谷口 俊彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-346498
公開番号（公開出願番号）：特開2005-116652
出願日： 2003年10月06日
公開日（公表日）： 2005年04月28日
要約：
【課題】 大型ウエハをバックグラインド工程、裏面処理工程等により薄型化した場合にも、半導体ウエハの反りを小さく抑えることができる半導体ウエハ加工用保護シートを提供すること。【解決手段】 半導体ウエハの裏面を研削する際に、パターン形成された半導体ウエハ表面を保護するために用いる半導体ウエハ加工用保護シートであって、前記保護シートは、基材上の少なくとも片面に粘着剤層が積層されており、基材は一層又は多層からなり、基材の少なくとも一層は、23°Cにおける引張り弾性率が0.6GPa以上であり、半導体ウエハ表面に接触させる粘着剤層に対して反対側にある基材の最外層は、吸水率が0.3%以下であることを特徴とする半導体ウエハ加工用保護シート。【選択図】 図4
請求項（抜粋）：
半導体ウエハの裏面を研削する際に、パターン形成された半導体ウエハ表面を保護するために用いる半導体ウエハ加工用保護シートであって、 前記保護シートは、基材上の少なくとも片面に粘着剤層が積層されており、 基材は一層又は多層からなり、基材の少なくとも一層は、23°Cにおける引張り弾性率が0.6GPa以上であり、 半導体ウエハ表面に接触させる粘着剤層に対して反対側にある基材の最外層は、吸水率が0.3%以下であることを特徴とする半導体ウエハ加工用保護シート。
IPC (3件)：
H01L21/304 ,  C09J7/02 ,  C09J201/00
FI (4件)：
H01L21/304 631 ,  H01L21/304 622J ,  C09J7/02 Z ,  C09J201/00
Fターム (41件)：
4J004AA05 ,  4J004AA10 ,  4J004AA12 ,  4J004AA13 ,  4J004AA14 ,  4J004AB01 ,  4J004AB07 ,  4J004CA02 ,  4J004CA03 ,  4J004CA04 ,  4J004CA05 ,  4J004CA06 ,  4J004CB03 ,  4J004CC03 ,  4J004FA04 ,  4J040CA00 ,  4J040DF01 ,  4J040DF02 ,  4J040DF03 ,  4J040DF06 ,  4J040DF08 ,  4J040DF09 ,  4J040DG00 ,  4J040EB13 ,  4J040EC00 ,  4J040EF18 ,  4J040EF28 ,  4J040FA14 ,  4J040FA26 ,  4J040FA27 ,  4J040FA29 ,  4J040HC22 ,  4J040JB08 ,  4J040JB09 ,  4J040KA13 ,  4J040KA16 ,  4J040MA10 ,  4J040MA11 ,  4J040MB03 ,  4J040NA20 ,  4J040NA21
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (6件)
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