特許
J-GLOBAL ID:200903097273749119

パワー半導体モジュール

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 児玉 俊英
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-161969
公開番号(公開出願番号):特開2000-349209
出願日: 1999年06月09日
公開日(公表日): 2000年12月15日
要約:
【要約】【課題】 絶縁部材とベース板の相互の熱変形差から生じる熱疲労による亀裂を防止することによって、熱伝達の信頼性を高め放熱性の良いパワー半導体モジュールを提供する。【解決手段】 一方の面に第1の金属薄板103を介してパワー半導体チップ106、108が搭載され他方の面は第2の金属薄板104を介して接合部材105aによりベース板101に接合された絶縁部材102を備えたパワー半導体モジュールにおいて、第2の金属薄板104は少なくとも縁部の4角104aが絶縁部材102の縁部よりはみ出して形成されている。
請求項(抜粋):
一方の面に第1の金属薄板を介してパワー半導体チップが搭載され他方の面は第2の金属薄板を介して接合部材によりベース板に接合された絶縁部材を備えたパワー半導体モジュールにおいて、上記第2の金属薄板は少なくとも縁部の4角が上記絶縁部材の縁部よりはみ出して形成されていることを特徴とするパワー半導体モジュール。
IPC (3件):
H01L 23/36 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/18
FI (2件):
H01L 23/36 D ,  H01L 25/04 C
Fターム (4件):
5F036AA01 ,  5F036BB08 ,  5F036BB21 ,  5F036BC05
引用特許:
審査官引用 (5件)
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