放射線検出装置

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：山下穣平 , 志村博
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-036833
公開番号（公開出願番号）：特開2004-265933
出願日： 2003年02月14日
公開日（公表日）： 2004年09月24日
要約：

【課題】TFT上に配置されるセンサ個別電極が電位変動を起こした場合に、TFT素子のリークによる特性変動が発生する。【解決手段】TFT素子のゲート電極層17をチャネル領域の上に配置するトップゲート構造として、TFTチャネル部をゲート電極で保護し、センサ個別電極の出力に応じた電位変動があっても、TFT素子がバックゲート効果によりONすることなく、安定したTFT特性を得る。TFT素子を直列に接続することで、OFF特性の改善を図り、また、ゲート絶縁層を介した上下間ショート、半導体層内のショートなどの不良に対しても冗長性を持たせる。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

放射線を電気信号に変換するセンサ素子と、該センサ素子に接続される複数の薄膜トランジスタとを備えた画素が複数配列された放射線検出装置において、前記複数の薄膜トランジスタは直列に接続され且つ同一のゲート配線が用いられ、前記複数の薄膜トランジスタと接続される前記センサ素子の電極は、前記複数の薄膜トランジスタ上に配置され、前記複数の薄膜トランジスタは、基板上に半導体層、ゲート絶縁層、ゲート電極層が順次積層されたトップゲート型構成であることを特徴とする放射線検出装置。

IPC (8件)：

H01L27/146 , G01T1/20 , G01T1/24 , H01L27/14 , H01L29/786 , H01L31/09 , H04N5/32 , H04N5/335

FI (8件)：

H01L27/14 C , G01T1/20 E , G01T1/24 , H04N5/32 , H04N5/335 U , H01L31/00 A , H01L27/14 K , H01L29/78 623Z

Fターム (46件)：

2G088EE01 , 2G088FF02 , 2G088FF04 , 2G088GG21 , 2G088JJ05 , 2G088JJ33 , 4M118AA01 , 4M118AA08 , 4M118AA10 , 4M118AB01 , 4M118BA05 , 4M118CA07 , 4M118CB05 , 4M118CB11 , 4M118FB03 , 4M118FB13 , 4M118FB16 , 4M118FB19 , 4M118FB23 , 4M118FB24 , 4M118FB25 , 4M118GA10 , 5C024AX12 , 5C024CX41 , 5C024GX02 , 5C024HX12 , 5C024HX40 , 5F088AA01 , 5F088AA03 , 5F088BA01 , 5F088BA10 , 5F088BA20 , 5F088BB06 , 5F088BB07 , 5F088EA04 , 5F088EA07 , 5F088EA20 , 5F088LA07 , 5F088LA08 , 5F110AA06 , 5F110AA21 , 5F110BB10 , 5F110CC02 , 5F110EE28 , 5F110HM14 , 5F110HM15

引用特許：

審査官引用 (9件)

イメージセンサ
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-306516 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
半導体膜およびその作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-165332 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
半導体装置およびその作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-326049 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

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