特許
J-GLOBAL ID：200903097375617225
電子放出素子
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
外川 英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-049804
公開番号（公開出願番号）：特開2000-251658
出願日： 1999年02月26日
公開日（公表日）： 2000年09月14日
要約：
【要約】【課題】ダイアモンド等の炭素系低仕事関数材料を用いる電子放出素子のしきい値電圧を低くするために、ダイアモンド膜等に効率的に電子を注入する方法を提供する。【解決手段】ダイアモンド膜表面をイオン照射等の手段を用いて、sp3 結合が支配的な状態からsp2 結合が支配的な状態へ改質するとともに、欠陥を増加させて、抵抗が低い改質層を形成し、電子が注入のための金属電極からダイアモンド層内部へ移動しやすくする。
請求項（抜粋）：
電子を炭素系低仕事関数材料に注入するための電極と、前記電極が形成される側の前記炭素系低仕事関数材料層表面の構造がイオン照射等の手段を用いて改質されていること、もしくは微少な凹凸を有することを特徴とした炭素系低仕事関数材料を用いた電子放出素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01J 9/02 B
, H01J 1/30 F
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (1件)
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