特許

J-GLOBAL ID：200903097439077076

半導体装置の製造方法

発明者： 飯沼 俊彦
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (6件)： 鈴江 武彦 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  蔵田 昌俊 ,  村松 貞男 ,  橋本 良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-182835
公開番号（公開出願番号）：特開2005-019705
出願日： 2003年06月26日
公開日（公表日）： 2005年01月20日
要約：

【課題】高濃度で砒素不純物を含有する拡散層領域における接合リーク電流の増大なく、低抵抗なニッケル珪化物膜を安定性よく形成可能な半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】素子分離絶縁膜を有するSi基板(201)の素子領域に、ゲート電極(204)をマスクとして用いて、砒素不純物を1×1020cm-3以上の濃度で含む拡散層領域(205)を形成する工程、前記Si基板の全面に金属Ni(208)を堆積する工程、前記Si基板を400°C未満の温度で熱処理して、前記拡散層領域上にNi2Siを含むニッケル珪化物膜(209)を形成する工程、前記素子分離絶縁膜上の未反応の金属Niを除去する工程、前記Si基板を450°C以上の温度で熱処理して、表面に砒素化合物層(211)を有するNiSi膜を形成する工程、前記砒素化合物層をアルカリ薬液で除去する工程、及び前記Si基板全面に層間絶縁膜(212)を堆積し、この層間絶縁膜を貫通して配線層(213)を形成する工程を具備することを特徴とする。【選択図】 図4

請求項（抜粋）：

素子分離絶縁膜が離間して形成されたシリコン基板の素子領域に、ゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極をマスクとして用いて、砒素不純物を1×1020cm-3以上の濃度で導入して拡散層領域を形成する工程、 前記シリコン基板の全面に金属ニッケルを堆積する工程、 前記金属ニッケルが堆積された前記シリコン基板を400°C未満の第1の温度で熱処理して、前記素子分離絶縁膜上に金属ニッケルを残しつつ、前記拡散層領域上にニッケルダイシリサイド(Ni2Si)を含むニッケルシリサイド膜を形成する工程、 前記素子分離絶縁膜上の未反応の金属ニッケルを除去する工程、 未反応の金属ニッケルが除去された前記シリコン基板を、450°C以上の第2の温度で熱処理して、表面に砒素化合物層を有するニッケルモノシリサイド(NiSi)膜を形成する工程、 前記砒素化合物層をアルカリ薬液によりエッチング除去する工程、 前記シリコン基板の全面に層間絶縁膜を堆積する工程、および 前記層間絶縁膜を貫通して配線層を形成する工程 を具備すること特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3205 ,  H01L29/78

FI (4件)：

H01L29/78 301P ,  H01L21/28 B ,  H01L21/28 301S ,  H01L21/88 Q

Fターム (85件)：

4M104AA01 ,  4M104BB01 ,  4M104BB18 ,  4M104BB21 ,  4M104BB30 ,  4M104BB40 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD04 ,  4M104DD08 ,  4M104DD22 ,  4M104DD26 ,  4M104DD43 ,  4M104DD64 ,  4M104DD80 ,  4M104DD84 ,  4M104FF14 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  4M104HH09 ,  4M104HH14 ,  4M104HH16 ,  4M104HH20 ,  5F033HH04 ,  5F033HH19 ,  5F033HH25 ,  5F033HH33 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK01 ,  5F033KK25 ,  5F033LL04 ,  5F033MM07 ,  5F033PP06 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ13 ,  5F033QQ16 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ58 ,  5F033QQ65 ,  5F033QQ70 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ82 ,  5F033QQ91 ,  5F033QQ93 ,  5F033QQ94 ,  5F033QQ95 ,  5F033QQ96 ,  5F033TT08 ,  5F033WW03 ,  5F033WW04 ,  5F033XX00 ,  5F033XX10 ,  5F033XX14 ,  5F033XX21 ,  5F140AA01 ,  5F140AA10 ,  5F140AA24 ,  5F140BA01 ,  5F140BF04 ,  5F140BF11 ,  5F140BF18 ,  5F140BG08 ,  5F140BG27 ,  5F140BG34 ,  5F140BG44 ,  5F140BG45 ,  5F140BG46 ,  5F140BH14 ,  5F140BJ01 ,  5F140BJ08 ,  5F140BK02 ,  5F140BK13 ,  5F140BK23 ,  5F140BK25 ,  5F140BK33 ,  5F140BK34 ,  5F140BK39 ,  5F140CB01 ,  5F140CF04 ,  5F140CF07

引用特許：

出願人引用 (5件)

• 表面保護によるニッケルシリサイド-窒化ケイ素の接着性の改良
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-336792   出願人：テキサスインスツルメンツインコーポレイテッド
• 選択的な膜除去のための洗浄溶液及びその洗浄溶液を使用してシリサイド工程で膜を選択的に除去する方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-406451   出願人：三星電子株式会社
• MISトランジスタの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-264717   出願人：株式会社デンソー
• 特開昭61-226922
  
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-180968   出願人：株式会社東芝

引用文献：

出願人引用 (1件)

• FORMATION OF NICKEL SILICIDE ON NITROGEN ION IMPLANTED SILICON