特許
J-GLOBAL ID：200903097450297410

電磁波発生照射方法及び装置

発明者：
西澤 潤一

西澤 潤一 について

, 
須藤 建

須藤 建 について


出願人/特許権者：
財団法人半導体研究振興会

財団法人半導体研究振興会 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-436901
公開番号（公開出願番号）：特開2005-195377
出願日： 2003年12月26日
公開日（公表日）： 2005年07月21日
要約：
【課題】 本発明は生体分子の同定、ガン細胞の検出、IC部品検査などのため、可変周波数テラヘルツ光源をもちいて高速、鮮明かつ簡便に画像を得る方法及び装置を提供する。【解決手段】 半導体レーザで励起された高速繰り返し周波数のポンプレーザおよび信号光レーザを、放熱手段を有するマウントに設置された広帯域高出力のテラヘルツ電磁波発生用結晶に入射し、発生したテラヘルツ波ビームを細く成形し、可動ステージ上に置いた検体に照射し、室温動作検知器を用いて検出することにより、高速度で鮮明な画像を得る。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体レーザによって励起される、300Hz以上の高い繰り返しパルス周波数を有する、波長1.0μmに近い第1のパルスレーザと波長可変の第2のパルスレーザ、前記二つのレーザの差周波数を有する電磁波を発生するテラヘルツ電磁波発生用結晶、前記レーザからの2つのビームを互いに平行または微小な角度で差周波発生用結晶に入射する手段とにより、0.7THzから2.5THzの範囲より広く、0.3THzから7THz以内の範囲のテラヘルツ電磁波を300THz以上の高い繰り返し周波数で発生させるテラヘルツ電磁波発生照射方法及び装置。
IPC (1件)：
G01N21/35
FI (1件)：
G01N21/35 Z
Fターム (11件)：
2G059AA05 ,  2G059AA06 ,  2G059BB12 ,  2G059CC16 ,  2G059FF01 ,  2G059GG01 ,  2G059GG08 ,  2G059HH01 ,  2G059JJ14 ,  2G059JJ17 ,  2G059JJ19
引用特許：
審査官引用 (5件)
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