半導体処理装置

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出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：鈴木市郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-258116
公開番号（公開出願番号）：特開2003-068717
出願日： 2001年08月28日
公開日（公表日）： 2003年03月07日
要約：

【要約】【課題】処理状態をモニタし、モニタ出力に基づき異常処理を検出あるいは処理結果を予測することにより、処理装置の稼働率と信頼性を向上する。【解決手段】半導体ウエハを処理する半導体処理装置の処理状態を監視するセンサ3と、前記半導体処理装置により処理した半導体ウエハの処理結果の測定値を入力する処理結果入力手段5と、前記センサが取得したセンサデータおよび前記測定値をもとに前記センサデータを説明変数として処理結果を予測するモデル式を生成するモデル式生成部7と、前記モデル式および前記センサデータをもとに処理結果を予測する処理結果予測部9と、前記予測した処理結果と予め設定した設定値を比較してそのずれを補正するように前記半導体処理装置の処理条件を制御する処理条件制御部10を備えた。

請求項（抜粋）：

半導体ウエハを処理する半導体処理装置の処理状態を監視するセンサと、前記半導体処理装置により処理した半導体ウエハの処理結果の測定値を入力する処理結果入力手段と、前記センサが取得したセンサデータおよび前記測定値をもとに前記センサデータを説明変数として処理結果を予測するモデル式を生成するモデル式生成部と、前記モデル式および前記センサデータをもとに処理結果を予測する処理結果予測部と、前記予測した処理結果と予め設定した設定値を比較してそのずれを補正するように前記半導体処理装置の処理条件を制御する処理条件制御部を備えたことを特徴とする半導体処理装置。

IPC (2件)：

H01L 21/3065 , H01L 21/205

FI (2件)：

H01L 21/205 , H01L 21/302 E

Fターム (11件)：

5F004AA16 , 5F004CB01 , 5F004CB02 , 5F004CB05 , 5F045AF01 , 5F045BB08 , 5F045GB04 , 5F045GB05 , 5F045GB06 , 5F045GB11 , 5F045GB17

引用特許：

審査官引用 (5件)

プラズマ処理装置、プロセスモニタ方法及び半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-229469 出願人：富士通株式会社
高分子化合物の不良品分離方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-337787 出願人：三井化学株式会社
プラスチック混合物の燃焼カロリー測定方法及びその装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-265341 出願人：株式会社神戸製鋼所

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