特許
J-GLOBAL ID：200903097506997266
半導体集積回路
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大日方 富雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-216258
公開番号（公開出願番号）：特開2004-062280
出願日： 2002年07月25日
公開日（公表日）： 2004年02月26日
要約：
【課題】アドレス変換バッファの速度性能を劣化させることなくアドレス変換バッファについて十分に低消費電力化が図られた半導体集積回路を提供する。【解決手段】論理アドレスを物理アドレスに変換するアドレス変換バッファにおいて、仮想記憶へのアクセスを表わすステータスレジスタの仮想記憶バリッドビットVsが“0”である間、キャッシュでミスヒットとなってキャッシュストール信号が出力されている間、或いは、同じ論理ページアドレスで且つこのアドレス範囲の境界以外にアクセスがあったときに、アドレス変換バッファのタグ記憶部とエントリ記憶部に供給される動作クロックφiを停止させるクロックイネーブル生成回路140を備える。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
論理アドレスを物理アドレスに変換するアドレス変換用記憶回路を備えた半導体集積回路であって、
上記アドレス変換用記憶回路のうち少なくとも論理アドレスの上位ビットである論理ページアドレスが格納されるタグ記憶部と物理アドレスの上位ビットである物理ページアドレスが格納されるデータ記憶部とを含んだ回路部分をアクティブ又は非アクティブに切換え可能な切換え手段を備え、
メモリアクセスを行う回路がアクティブな状態にあって上記アドレス変換用記憶回路の上記回路部分が使用されない期間に、上記切換え手段により当該回路部分が非アクティブにされるように構成されていることを特徴とする半導体集積回路。
IPC (4件)：
G06F12/08
, G06F9/30
, G06F9/38
, G06F12/10
G06F12/08 579
, G06F12/08 515Z
, G06F9/30 310B
, G06F9/30 350F
, G06F9/38 310A
, G06F9/38 370X
, G06F12/10 501Z
5B005JJ21
, 5B005KK12
, 5B005LL04
, 5B005LL19
, 5B005MM02
, 5B005MM03
, 5B005MM21
, 5B005MM51
, 5B005NN12
, 5B005RR02
, 5B013AA01
, 5B013AA05
, 5B013DD04
, 5B033BA01
, 5B033BE05
, 5B033DA04
