化合物半導体エピタキシャル成長方法、化合物半導体エピタキシャル成長装置及び化合物半導体装置の形成方法

発明者：
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：岡本啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-044414
公開番号（公開出願番号）：特開平7-254565
出願日： 1994年03月15日
公開日（公表日）： 1995年10月03日
要約：

【要約】【目的】化合物半導体単結晶基板上に選択的にエピタキシャル成長を行う化合物半導体エピタキシャル成長方法に関し、選択成長される化合物半導体層の厚さを制御よく制御するとともに、その化合物半導体層を平坦に形成すること。【構成】第一の化合物半導体層24の上に絶縁性マスク25を形成する工程と、前記絶縁性マスク25の表面と前記第一の化合物半導体層24の表面に、前記第一の化合物半導体層24のエッチャントとならないラジカル粒子を照射する工程と、前記ラジカル粒子が照射された前記第一の化合物半導体層24の表面に化合物半導体のソースガスを供給して、前記絶縁性マスク25に覆われない領域の前記第一の化合物半導体層24の上にソースガスを供給して選択的に第二の化合物半導体層26をエピタキシャル成長する工程を有することを含む。

請求項（抜粋）：

第一の化合物半導体層(24、42)の上に絶縁性マスク(25、44)を形成する工程と、前記絶縁性マスク(25、44)の表面と前記第一の化合物半導体層(24、42)の表面に、前記第一の化合物半導体層(24、42)のエッチャントとならないラジカル粒子を照射する工程と、前記ラジカル粒子が照射された前記第一の化合物半導体層(24、42)の表面に化合物半導体のソースガスを供給して、前記絶縁性マスク(25、44)に覆われない領域の前記第一の化合物半導体層(24、42)の上にソースガスを供給して選択的に第二の化合物半導体層(26、45)をエピタキシャル成長する工程を有することを特徴とする化合物半導体エピタキシャル成長方法。

IPC (4件)：

H01L 21/205 , C30B 23/08 , H01L 21/203 , H01S 3/18

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開平4-062917
特開平4-192323
選択エピタキシヤル成長方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-168538 出願人：日本電気株式会社

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