特許
J-GLOBAL ID：200903097569984296

高周波信号増幅装置およびその製造方法

発明者：
立岡 一樹

立岡 一樹 について

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吉川 則之

吉川 則之 について

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金澤 邦彦

金澤 邦彦 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (1件)： 池内 寛幸 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-153611
公開番号（公開出願番号）：特開2001-332656
出願日： 2000年05月24日
公開日（公表日）： 2001年11月30日
要約：
【要約】【課題】 アイソレーション不足を補いながらも小型化を実現できる高周波信号増幅装置とその製造方法を提供する。【解決手段】 誘電体多層基板1として、表面の所定領域から、複数の誘電体層11・・14の層間または基板表面に配置された複数の金属パターン31・・34が露出し、この複数の金属パターンが配置された領域を除く上記所定領域から、複数の金属パターンよりも深い位置に配置された金属面2が露出した基板を用いる。半導体素子を、複数の金属パターンの一部を介して高周波信号が入力され、複数の金属パターンの別の一部を介して増幅された高周波信号が出力されるように、上記所定領域に搭載する。
請求項（抜粋）：
複数の誘電体層が積層された誘電体多層基板と、この誘電体多層基板に搭載された高周波信号増幅機能を有する半導体素子とを備えた高周波信号増幅装置であって、前記誘電体多層基板が、この基板の表面の所定領域から、前記複数の誘電体層の層間または前記基板の表面に配置された複数の金属パターンが露出し、前記複数の金属パターンが配置された領域を除く前記所定領域から、前記複数の金属パターンよりも深い位置に配置された金属面が露出した基板であり、前記半導体素子が、前記所定領域に搭載されており、前記半導体素子に前記複数の金属パターンの一部を介して高周波信号が入力され、前記半導体素子から前記複数の金属パターンの別の一部を介して増幅された高周波信号が出力されることを特徴とする高周波信号増幅装置。
IPC (5件)：
H01L 23/12 301 ,  H01L 23/12 ,  H03F 1/08 ,  H03F 3/60 ,  H05K 3/46
FI (5件)：
H01L 23/12 301 Z ,  H03F 1/08 ,  H03F 3/60 ,  H05K 3/46 Q ,  H01L 23/12 N
Fターム (40件)：
5E346AA13 ,  5E346AA15 ,  5E346AA33 ,  5E346AA60 ,  5E346BB02 ,  5E346FF45 ,  5E346GG15 ,  5E346HH01 ,  5E346HH22 ,  5J067AA04 ,  5J067CA18 ,  5J067CA51 ,  5J067CA75 ,  5J067FA16 ,  5J067HA09 ,  5J067HA25 ,  5J067KA29 ,  5J067KA68 ,  5J067KS11 ,  5J067LS12 ,  5J067MA08 ,  5J067QA04 ,  5J067QA05 ,  5J067QS03 ,  5J067QS05 ,  5J067SA13 ,  5J067TA01 ,  5J092AA04 ,  5J092CA18 ,  5J092CA51 ,  5J092CA75 ,  5J092FA16 ,  5J092HA09 ,  5J092HA25 ,  5J092KA29 ,  5J092MA08 ,  5J092QA04 ,  5J092QA05 ,  5J092SA13 ,  5J092TA01
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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