特許
J-GLOBAL ID：200903097609809328

発光素子搭載用基板およびその製造方法およびそれを用いた発光装置

発明者：
大上 純史

大上 純史 について


出願人/特許権者：
株式会社住友金属エレクトロデバイス

株式会社住友金属エレクトロデバイス について


代理人 (1件)： 井上 浩
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-341466
公開番号（公開出願番号）：特開2009-164311
出願日： 2007年12月28日
公開日（公表日）： 2009年07月23日
要約：
【課題】基板の表面における可視光領域の光の反射率が高く、低抵抗性金属から成る導電体層をポストファイヤ法により形成することのできる高反射性セラミックス焼結体を用いた発光素子搭載用基板を提供する。【解決手段】原料粉体と、有機質バインダーとを混合したものを成形した後、焼成して成るセラミックス焼結体から成る基体を有する発光素子搭載用基板であって、原料粉体は、セラミックス原料と、セラミックス焼結体の内部において可視光領域の光の散乱を促進する散乱体とを含有し、セラミックス原料は、ホウ珪酸ガラス原料と、アルミナとを含有し、散乱体は、五酸化ニオビウム,酸化ジルコニウム,五酸化タンタル,酸化亜鉛から選択される少なくとも1種であり、セラミックス焼結体は、同時焼成された第1の導電体層と、ポストファイヤ法により形成された第2の導電体層とを備えることを特徴とする発光素子搭載用基板による。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
原料粉体と、有機質バインダーとを混合したものを成形した後、焼成して成るセラミックス焼結体から成る基体を有する発光素子搭載用基板であって、 前記原料粉体は、セラミックス原料と、前記セラミックス焼結体の内部において可視光領域の光の散乱を促進する散乱体とを含有し、 前記セラミックス原料は、ホウ珪酸ガラス原料と、アルミナとを含有し、 前記散乱体は、五酸化ニオビウム,酸化ジルコニウム,五酸化タンタル,酸化亜鉛から選択される少なくとも1種であり、 前記セラミックス焼結体は、その内部と表面に配線層を形成するそれぞれ第1の導電体層と第2の導電体層を備え、前記第1の導電体層は前記セラミックス焼結体と同時焼成されたものであり、前記第2の導電体層は前記セラミックス焼結体を焼成した後に形成されたものであることを特徴とする発光素子搭載用基板。
IPC (4件)：
H05K 1/03 ,  H01L 33/00 ,  C04B 35/195 ,  H05K 3/46
FI (5件)：
H05K1/03 610D ,  H01L33/00 N ,  C04B35/18 B ,  H05K3/46 T ,  H05K3/46 H
Fターム (44件)：
4G030AA08 ,  4G030AA17 ,  4G030AA20 ,  4G030AA21 ,  4G030AA32 ,  4G030AA35 ,  4G030AA36 ,  4G030AA37 ,  4G030BA12 ,  4G030BA14 ,  4G030CA01 ,  4G030CA08 ,  4G030GA01 ,  4G030GA09 ,  4G030GA11 ,  4G030GA14 ,  4G030GA19 ,  4G030GA25 ,  4G030GA27 ,  5E346AA12 ,  5E346AA15 ,  5E346CC18 ,  5E346CC32 ,  5E346CC38 ,  5E346CC39 ,  5E346DD34 ,  5E346EE24 ,  5E346FF01 ,  5E346FF18 ,  5E346GG04 ,  5E346GG05 ,  5E346GG06 ,  5E346GG08 ,  5E346GG09 ,  5E346HH06 ,  5F041AA04 ,  5F041AA14 ,  5F041AA44 ,  5F041DA07 ,  5F041DA09 ,  5F041DA13 ,  5F041DA20 ,  5F041EE23 ,  5F041FF11
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (9件)
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