特許
J-GLOBAL ID：200903097624247425
半導体用接着組成物付き電子デバイス基板、それを用いた電子デバイスシステムおよび電子デバイスシステムの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-310095
公開番号（公開出願番号）：特開2008-130588
出願日： 2006年11月16日
公開日（公表日）： 2008年06月05日
要約：
【課題】ダイシング時に切削粉の汚染や欠損がなく高速切断可能で、ダイシング時およびフリップチップ実装時のアライメントマークの認識が良好な半導体用接着組成物が形成された電子デバイスウェハを提供する。【解決手段】互いに電気的接続されていない複数の電子素子と電極と半導体用接着組成物が形成された電子デバイス基板であって、半導体用接着組成物は電極が形成されている面にあり、半導体用接着組成物が(a)1分子内に3個以上のエポキシ基を有しているエポキシ当量が150〜250であり、かつ25°C、1.013×105N/m2条件下で固形であるエポキシ化合物と(b)25°C、1.013×105N/m2において液状であるエポキシ化合物とを含有し、(a)と(b)の配合比率が(a)を100重量部に対し(b)が25〜70重量部である電子デバイス基板。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
互いに電気的接続されていない複数の電子素子と電極と半導体用接着組成物が形成された電子デバイス基板であって、半導体用接着組成物は電極が形成されている面にあり、半導体用接着組成物が(a)1分子内に3個以上のエポキシ基を有しているエポキシ当量が150〜250であり、かつ25°C、1.013×105N/m2条件下で固形であるエポキシ化合物と(b)25°C、1.013×105N/m2において液状であるエポキシ化合物とを含有し、(a)と(b)の配合比率が(a)を100重量部に対し(b)が25〜70重量部である電子デバイス基板。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L21/60 311S
, C09J163/00
4J040EC001
, 4J040HA23
, 4J040HB22
, 4J040JA02
, 4J040JA12
, 4J040KA17
, 4J040MA02
, 4J040MA04
, 4J040NA20
, 4J040PA23
, 5F044LL11
, 5F044QQ01
