窒化物系半導体の製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：宮園博一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-059726
公開番号（公開出願番号）：特開2002-261076
出願日： 2001年03月05日
公開日（公表日）： 2002年09月13日
要約：

【要約】【課題】基板と窒化物系半導体層とを分離する際の歩留まりおよび生産性を向上させることが可能な窒化物系半導体の製造方法を提供する。【解決手段】Si基板1上に、n型GaN層6に比べてエッチングされやすい材料からなるGaAs層2を形成する工程と、GaAs層2上にn型GaN層6を形成する工程と、その後、GaAs層2をエッチングにより除去することによって、Si基板1とn型GaN層6とを分離する工程とを備えている。

請求項（抜粋）：

基板上に、窒化物系半導体に比べてエッチングされやすい材料からなるエッチング層を形成する工程と、前記エッチング層上に窒化物系半導体層を形成する工程と、その後、前記エッチング層をエッチングにより除去することによって、前記基板と前記窒化物系半導体層とを分離する工程とを備えた、窒化物系半導体の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/306 , H01L 33/00 , H01S 5/323 610

FI (3件)：

H01L 33/00 C , H01S 5/323 610 , H01L 21/306 B

Fターム (16件)：

5F041AA41 , 5F041CA40 , 5F041CA46 , 5F041CA64 , 5F041CA65 , 5F041CA74 , 5F043AA14 , 5F043AA16 , 5F043BB07 , 5F043GG10 , 5F073CA07 , 5F073CB04 , 5F073CB07 , 5F073DA04 , 5F073DA05 , 5F073DA22

引用特許：

審査官引用 (4件)

半導体基板の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-253743 出願人：松下電器産業株式会社
GaN系結晶基板の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-188776 出願人：三菱電線工業株式会社
半導体基板の製造方法および半導体発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-074863 出願人：株式会社リコー

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