特許
J-GLOBAL ID：200903066193427371
半導体装置及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
工藤 実 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-057408
公開番号（公開出願番号）：特開2002-261271
出願日： 2001年03月01日
公開日（公表日）： 2002年09月13日
要約：
【要約】【課題】 コレクタ抵抗が低減され、信頼性が向上する半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 本発明による半導体装置は、コレクタ電極(13)に接続された第1導電型のコレクタコンタクト層(3)の上に形成された秩序配列構造を有する第1導電型の配列層(4)と、配列層(4)の上に形成された第1導電型の補償層(5)と、補償層(5)の上に形成された第1導電型のコレクタ層(6)と、コレクタ層(6)の上に形成され、ベース電極(9)に接続されたベース層(7)と、ベース層(7)の上に形成され、エミッタ電極(12)に接続されたエミッタ層(8、10、11)とを具備する。
請求項（抜粋）：
コレクタ電極に接続された第1導電型のコレクタコンタクト層の上に形成された秩序配列構造を有する前記第1導電型の秩序配列層と、前記秩序配列層の上に形成された前記第1導電型の補償層と、前記補償層の上に形成された前記第1導電型のコレクタ層と、前記コレクタ層の上に形成され、ベース電極に接続されたベース層と、前記ベース層の上に形成され、エミッタ電極に接続されたエミッタ層とを具備する半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 29/737
, H01L 21/331
5F003BA92
, 5F003BC01
, 5F003BC02
, 5F003BF06
, 5F003BM03
, 5F003BP31
, 5F003BP96
